深謀遠略:碳化硅的EMI設計 英飛凌工業(yè)半導體 2021-07-01 17:00 449 閱讀 2 贊 6 收藏 0 評論 趙振波:英飛凌科技技術專家、應用工程師、總工程師。 以下是官方演講資料: * 該演講資料經(jīng)演講者同意在“英飛凌工業(yè)半導體”公眾號發(fā)表,其他平臺未經(jīng)同意不得轉(zhuǎn)載。 聲明:本內(nèi)容為作者獨立觀點,不代表電子星球立場。未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載。授權事宜與稿件投訴,請聯(lián)系:editor@netbroad.com 覺得內(nèi)容不錯的朋友,別忘了一鍵三連哦! 一鍵三連 一鍵三連 贊 2 收藏 6 關注 579 成為作者 賺取收益 專題目錄下一篇 下一篇:輕松驅(qū)動CoolSiC? MOSFET:柵極驅(qū)動設計指南 全部留言 0/200 [A] 智能填寫留言 發(fā)送 成為第一個和作者交流的人吧