對(duì)于開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)；
因?yàn)槿魏萎a(chǎn)品都要有電源來(lái)供電，此處沒(méi)有處理好一定會(huì)影響到其它的地方。
不論是什么產(chǎn)品-它的輻射或傳導(dǎo)主要由這個(gè)產(chǎn)品內(nèi)部的敏感器件造成的。
對(duì)于電源產(chǎn)品主要的EMC器件是：
開(kāi)關(guān)MOS管、開(kāi)關(guān)變壓器、輸出整流二極管。
從綜合角度來(lái)看，只要解決好這三個(gè)方面的協(xié)調(diào)問(wèn)題EMC就不難搞定。
而解決EMC的方法概括來(lái)說(shuō)就是：
消除干擾源、切除干優(yōu)傳導(dǎo)的途徑、疏導(dǎo)干擾源。
a.消除就是用將干擾源通過(guò)熱能的方式損耗掉，這種是制本的方式。
b.切除干擾傳導(dǎo)的途徑就是將干擾向外傳遞的路徑切斷，
使其無(wú)法向外干擾，也就是我們常做的濾波，屏蔽等方法。
c.疏導(dǎo)干擾源這種就是將干擾源引到不是敏感的器件及位置上；
如旁路，去耦，接地等方式。
如果對(duì)于EMC方面高效設(shè)計(jì)的細(xì)節(jié)可參考我的：
《開(kāi)關(guān)電源的EMC-分析與設(shè)計(jì)》
我們先來(lái)一個(gè)一個(gè)設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)來(lái)探討開(kāi)關(guān)系統(tǒng)的EMI問(wèn)題;
1、在FLY(反激式)電源中，Y電容接初級(jí)地與次級(jí)地之間在>10MHZ的傳導(dǎo)&輻射測(cè)試時(shí)，我們有時(shí)會(huì)發(fā)現(xiàn)要比Y電容接在高壓（電解電容正端）與次級(jí)地之間要高個(gè)幾dB左右！(電子設(shè)計(jì)者的疑問(wèn)？)
答案：從應(yīng)用和設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)：我們還也要看情況而定！
A．對(duì)于功率等級(jí)較大的設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)；產(chǎn)品及設(shè)備都會(huì)有金屬背板或金屬外殼的設(shè)計(jì)；對(duì)于此類(lèi)的設(shè)計(jì)應(yīng)用Y電容接初級(jí)地與次級(jí)地，這個(gè)是推薦的應(yīng)用接法！系統(tǒng)會(huì)有更優(yōu)的EMC性能。（EMI&EMS都更容易設(shè)計(jì)?。℡電容的接入還要看系統(tǒng)的回流路徑的環(huán)路面積！
B．對(duì)于低功率等級(jí)的設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)：產(chǎn)品的應(yīng)用大多為浮地設(shè)計(jì)；如下圖：
如果系統(tǒng)采用PI公司的集成MOS的設(shè)計(jì)應(yīng)用方案；開(kāi)關(guān)電源沒(méi)有輔助繞組供電的內(nèi)部自供電技術(shù)，同時(shí)變壓器設(shè)計(jì)采用法拉第電磁屏蔽繞組的設(shè)計(jì)！
這時(shí)Y電容的接法就要建議使用Y電容接在高壓（電解電容正端）與次級(jí)地之間接法！此時(shí)的EMI測(cè)試結(jié)果肯定比接初級(jí)地與次級(jí)地之間要好很多。
C.對(duì)于有輔助繞組控制的PI電源系統(tǒng)；Y電容的接法就要注意了；接的不好會(huì)有EMS的問(wèn)題！如下圖：
不合理的布線(xiàn)及Y電容的設(shè)計(jì)就會(huì)帶來(lái)EMS的設(shè)計(jì)問(wèn)題！
解決措施：帶來(lái)好的EMC性能！如下圖設(shè)計(jì)：
D.我們?cè)賮?lái)分析一下實(shí)際Y電容的應(yīng)用案例：
Y電容回路影響！如下圖（小功率電源）：
將圖中：CY1=2.2nF，去掉CY2（器件不焊接）測(cè)試數(shù)據(jù)如下：
將圖中：CY2=2.2nF，去掉CY1（器件不焊接）測(cè)試數(shù)據(jù)如下：
實(shí)驗(yàn)結(jié)果：不同Y電容回路，在垂直方向輻射相差幾個(gè)dB的效果！
結(jié)果分析：
Y電容將流過(guò)變壓器的共模電流要進(jìn)行回路為差模電流以改善EMI，該回路為輻射干擾源，回路面積越小EMI越好。小的回路就會(huì)有更好的EMI性能！
EMI測(cè)試的效果差異，我們要用理論和實(shí)際情況相結(jié)合；我們的結(jié)論才不會(huì)產(chǎn)生誤導(dǎo)；便于我們真正的解決碰到的EMC設(shè)計(jì)問(wèn)題！