其原理是P區(qū)的空穴不僅吸引漂移區(qū)N-的電子同時(shí)吸引襯底或基底N+區(qū)的電子，也稱為載流子雙倍注入，二極管等半導(dǎo)體器件需要的阻斷電壓越高，則漂移區(qū)越寬，由于漂移區(qū)的摻雜濃度低，會(huì)造成明顯的歐姆電阻，這個(gè)也是決定器件內(nèi)阻的主因，會(huì)導(dǎo)致器件導(dǎo)通損耗增加等不利因素，而導(dǎo)電調(diào)制效應(yīng)使得漂移區(qū)的載流子濃度上升，使得歐姆電阻大大降低。

導(dǎo)通時(shí)，使得原來(lái)漂移區(qū)的電子濃度升高，從而降低歐姆電阻，這種效應(yīng)發(fā)生在具有雙載流子參與導(dǎo)電的器件，如二極管、IGBT等，也就是說(shuō)多子或電子參與導(dǎo)電的肖特基（Schotty）是不存在這種效應(yīng)的，因此，尤其是高壓硅基肖特基二極管，很難制造出性能超越普通PN結(jié)的二極管，由于漏電流大的問(wèn)題，無(wú)導(dǎo)電調(diào)制效應(yīng)導(dǎo)致的高導(dǎo)通電壓都是限制高壓硅肖特基二極管使用的重要因素。

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注：對(duì)于具有漂移區(qū)的二極管，其結(jié)構(gòu)通常如上圖是PN-N+結(jié)構(gòu)，這類二極管我們也稱之為PIN二極管，I代表內(nèi)部，也就是夾心的飄移層N-。