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考慮篇幅限制，本次內(nèi)容分為3部分。

       （1） 絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)原理介紹及部分術(shù)語定義；

       （2）IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn)；

       （3）IGBT及隔離驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)書冊(cè)解讀。

功率器件驅(qū)動(dòng)中需要對(duì)控制電路和功率電路進(jìn)行電氣隔離，常用的隔離方式有三種，分別為電容隔離，變壓器隔離和光耦隔離。不同廠家所選擇的隔離方案各不相同，下面談?wù)劜捎脽o磁芯變壓器隔離的器件，該器件的特性包括：（1）2A的軌至軌輸出電流；（2）內(nèi)置保護(hù)有Vce飽和電壓檢測(cè)、短路鉗位、主動(dòng)關(guān)斷和有源密勒鉗位；（3）28V絕對(duì)最大供電電壓；（4）195/190ns最大傳輸延遲；（5）100kV/us共模瞬態(tài)抑制；（6）12/11V輸出低電壓閉鎖等。內(nèi)部框圖如圖1所示。

Pin2：去飽和保護(hù)。開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)，監(jiān)測(cè)IGBT的集電極―發(fā)射極電壓Vce，若Vce大于設(shè)定的電壓（9V），K3輸出高電平，退飽和保護(hù)被觸發(fā)，IGBT被關(guān)斷。為了保護(hù)的可靠性，端口增加了消隱時(shí)間，時(shí)間長(zhǎng)短由外部電容進(jìn)行調(diào)節(jié)。

Pin7：密勒鉗位。由于存在彌勒效應(yīng)，關(guān)斷時(shí)Vce電壓變化率經(jīng)電容Cgc電容耦合，在門極產(chǎn)生電壓尖峰，導(dǎo)致誤導(dǎo)通。為了解決半橋驅(qū)動(dòng)中的串?dāng)_問題，增加了彌勒鉗位功能。IGBT關(guān)斷時(shí)，門極電壓小于設(shè)置的關(guān)斷電壓（2V），Pin7引腳內(nèi)部MOS導(dǎo)通，門極接地，抑制串?dāng)_電壓。

Pin12：準(zhǔn)備就緒。正常工作時(shí)，該引腳輸出準(zhǔn)備就緒信號(hào)，輸出形式為開漏輸出。

Pin13：故障輸出，低電平有效。低電壓保護(hù)和驅(qū)動(dòng)信號(hào)經(jīng)過與門接入編碼器及退飽和信號(hào)經(jīng)過編碼后傳輸至控制側(cè)進(jìn)行解碼，解碼后的信號(hào)接入SR觸發(fā)器S端，Q端輸出高電平，Pin13引腳內(nèi)部MOS管導(dǎo)通，輸出低電平。Pin13輸出低電平表示驅(qū)動(dòng)發(fā)生故障。

Pin14：重置輸入，低電平有效。Pin14引腳輸入低電平，信號(hào)接至SR觸發(fā)器R端，當(dāng)R端為高電平，SR觸發(fā)器被復(fù)位，輸出低電平，Pin13內(nèi)部MOS管關(guān)斷，引腳輸出高電平。

應(yīng)用示意圖如圖2所示。?