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談到MOS管的米勒效應(yīng)，肯定繞不開柵-漏極電容Cgd的影響。這里面涉及一個重要計算，今天和大家一起討論下。

1、一道問題

照例，先拋出一個問題：在MOS管的等效電路中，柵-漏電容Cgd等效到輸入回路中的容值是多少？推導(dǎo)過程是怎樣的？

這道題的難點在于推導(dǎo)過程，這需要同學(xué)們理解，而不是死記硬背。

2、等效電路

為便于理解，我們以帶有柵極偏置的共源極放大電路作為分析對象。如下圖所示，首先畫圖其直流通路，比較簡單，這里我們不做過多分析。

接著，我們畫出其交流通路。注意，這里我們使用的不是MOS管的低頻小信號模型，而是高頻小信號模型。

因為在低頻模式下，我們是通常是忽略結(jié)電容的影響。高頻模式下，交流通路如下圖所示。

可能會有同學(xué)問了，這里和三極管的交直流通路很像。對的，確實相似，因為兩者存在很多相通性。所以在學(xué)校里，很多老師只講三極管放大電路，MOS管放大電路是自學(xué)部分。三極管部分，不清楚的同學(xué)可以回看《終于有人把共射放大電路不放大原因說清楚了！》，不做贅述。

3、以電流為切入點

細心的同學(xué)會發(fā)現(xiàn)在上圖中標(biāo)注了Ig，Ig1和Ig2，其中Ig1是流過Cgs電容的電流，Ig2為流過Cgd電容的電流，而Ig是Ig1和Ig2的干路總電流，Ig=Ig1+Ig2。

在上圖中，Ig1=jw*Cgs*Vgs，Ig2=jw*Cgd*Vgd。相信這點，同學(xué)們很容易理解。

當(dāng)前的關(guān)鍵點在于Vgd是多少？

根據(jù)基爾霍夫電壓KVL定律，有如下關(guān)系推導(dǎo)：

令RL'=Rd//RL，則有：

如此，

而，

對比Ig2和Ig1的關(guān)系式，可以引入電容Ceq，有：

Ceq在輸入回路中的電流，有：

于是，Ceq可以看做是Cgd在輸入回路上的等效電容，此時的容值已經(jīng)放大了（1+gmRL'）倍。

當(dāng)年的小嘍嘍(Cgd)，在輸入回路中，搖身一變已經(jīng)成為別人口中的大哥，舉足輕重，不容忽視了！

4、總  結(jié)

今天聊的內(nèi)容，相對簡單，只聊了米勒效應(yīng)的一部分內(nèi)容，重點說明了柵-漏電容Cgd等效到輸入回路的定量關(guān)系及其推導(dǎo)過程。

最后附上整個的推導(dǎo)過程，詳見下圖。

怎么樣？一個簡短的問題，給出的回答可淺可深。我的助攻只能到這里，能否晉升到陸地神仙境，一劍開天門，就看你的造化了！

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