4.串?dāng)_

交流信號(hào)耦合路徑包括公共阻抗耦合，容性耦合，感性耦合，磁回路耦合和對外輻射耦合，從左圖可以看出，容性耦合主要跟信號(hào)頻率，干擾源和被干擾源之間的距離，被干擾源的接地阻抗和干擾源的電壓有關(guān)，跟頻率成正比這個(gè)很好理解，頻率越高，兩者之間的容抗越小，干擾信號(hào)越容易耦合到被干擾源；被干擾源接地阻抗越小，可以對應(yīng)到當(dāng)我們選用接地屏蔽罩時(shí)，可以很好的抑制靜電耦合?；兩者之間耦合電容越大，電壓數(shù)值越高，被干擾源越容易受到干擾，且?數(shù)值更高。

對于感性耦合，因?yàn)榛ジ写磐康扔贛I，M為互感，其數(shù)值小于根號(hào)下L1*L2，耦合到被干擾源的電壓為Mdi/dt，可以看出M越大，信號(hào)變化率越高，I幅值越大，耦合到?的電壓越高。

5.開關(guān)電源產(chǎn)生的噪聲

di/dt,du/dt是EMC中的干擾源，哪兒存在di/dt，du/dt，哪兒就需要按照公共阻抗耦合，容性耦合，感性耦合，磁回路耦合和對外輻射耦合分析，圖中畫出的都是幾處磁回路耦合，需要盡可能做到環(huán)路面積小，驅(qū)動(dòng)電流小，頻率低，距離被干擾源；對于公共阻抗耦合，需要做到開關(guān)電源的GND回到芯片GND后單點(diǎn)接地，?避免耦合到其他回路；容性耦合和感性耦合可以按照上面提到的幾處要素進(jìn)行規(guī)避。

上圖是由于MOS管的寄生電容引起的LC諧振，對于該部分干擾，可以考慮從源頭上消除，具體可以參照我之前寫的《RC snubber電路設(shè)計(jì)計(jì)算》?。

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