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01 端接方式
（1）串聯(lián)端接：通常添加在源端，應(yīng)使端接電阻與芯片輸出內(nèi)阻之和等于傳輸線的阻抗。
a、芯片輸出引腳到串聯(lián)端接電阻的距離應(yīng)盡可能短，盡量控制在不考慮傳輸線效應(yīng)的長(zhǎng)度范圍內(nèi)。
b、串聯(lián)端接不適用于雙向傳輸?shù)男盘?hào)，且如果高電平和低電平的輸出內(nèi)阻不同時(shí)，不能完全消除反射。
c、這種線上電壓是驅(qū)動(dòng)電壓的一半，因此不適合用于菊花鏈形式的多負(fù)載拓?fù)?/span>。
d、串聯(lián)端接相當(dāng)于增加了輸出端的RC時(shí)間常數(shù)，會(huì)使信號(hào)上升沿變緩，因此不適用于較高速的信號(hào)。
圖1、2 ADS仿真：串聯(lián)端接
（2）并聯(lián)端接：添加在末端，端接的阻抗值應(yīng)與傳輸線阻抗相等。
a、并聯(lián)端接到電源，會(huì)抬高低電平。端接到地，會(huì)拉低高電平；
b、同樣會(huì)使信號(hào)邊沿變緩慢；
c、會(huì)增加直流功耗，且需要驅(qū)動(dòng)端有足夠的驅(qū)動(dòng)能力。
圖3、4 ADS仿真：并聯(lián)端接
（3）RC端接：在并聯(lián)端接的基礎(chǔ)上串聯(lián)一顆電容，端接電容由信號(hào)的頻率決定，電容過小，會(huì)造成嚴(yán)重的信號(hào)問題。
a、端接電容選擇大電容有利于信號(hào)，但選擇的時(shí)候應(yīng)該注意電容的諧振點(diǎn)，大電容諧振點(diǎn)低，容易工作在諧振頻率外，呈現(xiàn)感性。會(huì)造成高頻分量衰減過大。
b、AC端接適合周期性信號(hào)，不適合非周期性信號(hào)。
c、會(huì)導(dǎo)致容性負(fù)載增加，RC延時(shí)增加。
d、相對(duì)于并聯(lián)端接，有助于減小直流功耗。
圖5、6 ADS仿真：RC端接
（4）戴維南端接：通過兩個(gè)電阻來吸收反射，可以獲得最快的電路性能，適用于高速信號(hào)。
a、配置電阻計(jì)算公式：Z0=(R1*R2)/(R1+R2)
b、通過改變R1和R2的值可以使電壓上偏或者下偏。
c、因?yàn)橛猩舷吕?/span>會(huì)導(dǎo)致高電平偏低，低電平偏高（相比并聯(lián)端接更加均衡一些）。
d、選取的阻值不匹配，可能會(huì)加重反射帶來的影響。
e、高低電平下都有電流，增加了直流功耗。
圖7、8 ADS仿真：戴維南端接
（5）DDR3的ODT(On-die Termination)采用的是戴維南端接方式，這樣能保證信號(hào)的高低電平更加均衡，噪聲容限更好一些。但戴維南端接的功耗更大，因此在DDR4以后采用了POD端接，也就是并聯(lián)端接，這樣當(dāng)信號(hào)為高電平時(shí)就不會(huì)產(chǎn)生直流功耗。
a、DBI(Data Bus Inversion)：信號(hào)每8bit存在4bit以上0時(shí)，就會(huì)對(duì)信號(hào)電平進(jìn)行反向，減小0電平帶來的功耗。
b、VrefDQ Training：動(dòng)態(tài)調(diào)整Vref，保證信號(hào)處于最佳眼寬狀態(tài)，提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的信噪等級(jí)。
圖9 端接在DDR設(shè)計(jì)中的應(yīng)用
02 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
常用拓?fù)浞绞剑?/span>點(diǎn)對(duì)點(diǎn)、菊花鏈（fly-by）、樹形（T）、星形、遠(yuǎn)端簇。
（1）點(diǎn)對(duì)點(diǎn)拓?fù)?/strong>：信號(hào)由驅(qū)動(dòng)端經(jīng)過傳輸線，直接到達(dá)接收端。
a、手機(jī)中基本上都是點(diǎn)對(duì)點(diǎn)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，方便控制走線延時(shí)、阻抗。
（2）菊花鏈拓?fù)?/strong>：多負(fù)載拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，按照先后順序依次連到每個(gè)負(fù)載端。
a、適用于低速信號(hào)，對(duì)于高速信號(hào)會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重反射；
b、Fly-By（DDR走線【DDR一般會(huì)有時(shí)序補(bǔ)償】）是一種短分支的菊花鏈，分支越短對(duì)信號(hào)越有利。
c、第一個(gè)分支的信號(hào)最差，最后一個(gè)分支信號(hào)最好。優(yōu)化第一個(gè)分支滿足要求，則整個(gè)鏈路都沒什么問題。
圖10 菊花鏈拓?fù)涫疽鈭D
圖11、12 ADS仿真：菊花鏈拓?fù)?/span>
（3）樹形拓撲（分支=2）：適用于各個(gè)分支負(fù)載等長(zhǎng)的情況，需要驅(qū)動(dòng)端有足夠的驅(qū)動(dòng)能力。
a、常用的T拓?fù)?，也叫等臂分支，分支?yīng)盡可能短。
b、T拓?fù)浔旧泶嬖诖罅康淖杩共贿B續(xù)，如果分支長(zhǎng)度完全相等，則兩邊的反射大小相等方向相反，可以彼此抵消部分反射。
c、應(yīng)該使主干道的區(qū)域盡可能長(zhǎng)，分支區(qū)域的盡可能短。
d、使用T拓?fù)鋺?yīng)使兩邊盡可能完全對(duì)稱，對(duì)稱包含等長(zhǎng)和端接等等。
圖13 T拓?fù)涫疽鈭D
圖14、15 ADS仿真：T拓?fù)?/span>
（4）星形拓?fù)浜瓦h(yuǎn)端簇（分支>2）：星形拓?fù)湓?/span>源端分開，遠(yuǎn)端簇在末端分開。考慮多負(fù)載的情況，優(yōu)先使用遠(yuǎn)端簇。
a、星形適用于低速且單向傳播的信號(hào)，如時(shí)鐘等。使用該拓?fù)鋾r(shí)主干走線越短越好，主干走線變短之后，后端走線則接近于點(diǎn)對(duì)點(diǎn)傳輸。
b、遠(yuǎn)端簇要求末端越短越好。
圖16、17 ADS仿真：星形+遠(yuǎn)端簇
03 容性負(fù)載與補(bǔ)償
（1）容性負(fù)載：
a、分支、負(fù)載、過孔等都會(huì)產(chǎn)生容性負(fù)載；
b、寄生電容：通常封裝0.3~0.4pF，過孔0.6~0.8pF，Die 1~3pF
c、當(dāng)線路中存在電容時(shí)，信號(hào)在到達(dá)的瞬間，電容阻抗為0；隨著電容充電，阻抗逐漸升高，變?yōu)殚_路。
d、電容存在于末端會(huì)導(dǎo)致信號(hào)上升沿變緩。當(dāng)電容足夠大時(shí)，會(huì)導(dǎo)致波形幅度達(dá)不到預(yù)期。
e、電容存在于線路中間不但會(huì)導(dǎo)致上升沿變緩，還會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)烈的反射。
圖18、19 ADS仿真：容性負(fù)載仿真
（2）容性負(fù)載補(bǔ)償：
a、對(duì)于多負(fù)載拓?fù)洌ㄈ缍嗥珼DR），每一負(fù)載都會(huì)引入容性負(fù)載，造成反射會(huì)讓阻抗偏低，由于負(fù)載彼此靠近，被拉低的阻抗來不及恢復(fù)又會(huì)被下一個(gè)容性負(fù)載拉低，因此造成整個(gè)區(qū)域內(nèi)的阻抗偏低。
b、這時(shí)需要容性負(fù)載補(bǔ)償來補(bǔ)償這部分的阻抗，避免阻抗不連續(xù)。補(bǔ)償方式為主通道阻抗降低，容性負(fù)載區(qū)域阻抗增加（具體阻抗可以根據(jù)走線長(zhǎng)度再去仿真）。以平衡容性區(qū)域和主干道區(qū)域的阻抗平衡。
c、對(duì)于>=4片DDR，可以考慮容性負(fù)載補(bǔ)償。
圖20、21 ADS仿真：容性負(fù)載補(bǔ)償
04 樁線和分支
（1）Stub指走線中多余的線頭，常見于過孔殘樁、未連接走線。
（2）當(dāng)信號(hào)抵達(dá)分支時(shí)，感受到的阻抗是分支和傳輸線并聯(lián)的阻抗，因此會(huì)形成反射。同時(shí)分支會(huì)引入容性負(fù)載，導(dǎo)致tr變緩。分支越長(zhǎng)、對(duì)信號(hào)影響越嚴(yán)重。
（3）常用分支優(yōu)化手段：HID、背鉆、刪除多余盤、兩次過孔。
圖22、23 ADS仿真：分支對(duì)信號(hào)質(zhì)量的影響
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