產(chǎn)品的系統(tǒng)架構(gòu)和控制算法在此就不再做介紹了，可以參考第一篇文章。今天繼續(xù)和大家分享調(diào)試過程中的踩坑。

踩坑10、交錯PFC兩相不平衡

前端時間在對PFC的MOS管和電感進行溫升測試時，發(fā)現(xiàn)通道1的電感和MOS溫度居然比通道2的電感和MOS溫度高了近10℃。仔細測試發(fā)現(xiàn)是因為兩路PFC的電流不等，滿載的時候，電流有效值差不多相差4A左右（交流輸入一共最大才32A，相當(dāng)于每相16A），實際測試1通道18A，2通道只有14A。這個就是造成兩路PFC不平衡的根本原因。

不平衡會帶來哪些問題呢？1）當(dāng)然第一個就是剛剛說的溫升差異問題（這個是現(xiàn)象），溫升差異就會帶來系統(tǒng)散熱的負擔(dān)，比如通用的風(fēng)量，兩相平衡，功率器件可以控制在溫升90℃，如果是不平衡，那么一相有95℃，另外一相只有90℃，無形中對散熱就帶來更高的調(diào)整。2）不平衡對MOS管的規(guī)格要求就更高，需要更大電流的MOS（當(dāng)然這個問題可以忽略，因為MOS的裕量一般都比較大）。3）不平衡會導(dǎo)致過流保護異常，比如設(shè)置單個通道17A的軟件過流保護點，結(jié)果一個才14A，一個已經(jīng)18A了。出現(xiàn)誤保護的情況。4）對前面文章提到的逐周期保護也是會有影響，會讓一個通道提前進入保護，另外一個通道達不到保護點。

不平衡的主要原因？要想解決不平衡問題，首先得知道是什么原因產(chǎn)生的不平衡問題，我看網(wǎng)上也有很多博主提到電感量的差異導(dǎo)致的不平衡，還有MOS的Rds不等這些原因，我實際測試發(fā)現(xiàn)，Rds不等和電感量的差異對這個電流不平衡影響很小，調(diào)整電感量在10%以內(nèi)，對不平衡的改善幾乎沒有。我覺得最重要的原因還是交錯控制時驅(qū)動移相180°導(dǎo)致的，移相控制原理不清楚的可以看看我前面的文章，而控制上來說是1通道作為主通道，2通道作為副通道，PWM的占空比是一樣的，這就導(dǎo)致在第二個mos管開的時候，輸入電壓已經(jīng)是第一個mos管開后180°相位的電壓了，這個才是導(dǎo)致輸出不平衡的根本原因

如何解決步平衡問題

方案1、就是PFC軟件環(huán)路單獨計算，根據(jù)輸出的電壓、MOS上的電流分別對兩路的MOS管的驅(qū)動進行計算。（就是下面的軟件環(huán)路，兩個通道單獨控制，簡單粗暴的方法），這個方法的缺點就是軟件的計算量就會非常大。

方案2、共用一個電壓環(huán)，產(chǎn)生的目標(biāo)電流分別供給兩個PFC點的電流環(huán)進行計算，這個方案帶來的計算量也是比較大的。這個方法對方法1進行了一點優(yōu)化，但是問題也比較明顯，兩個電流環(huán)需要兩個中斷，對中斷的開銷也是很大的，對芯片的性能要求比較高一點，不過主頻高一點的MCU是沒問題的，我之前用的DSP也是沒問題的。這個方法還是比較推薦的。

方案3、在方案2的基礎(chǔ)上進行了一定的優(yōu)化，提前計算一個電流誤差量，通過這個電流誤差量對第二路PFC電路進行調(diào)整。而且這個均衡控制屬于一個滿環(huán)路，增加這個PID環(huán)路的數(shù)據(jù)格式可以小一些，計算可以慢一些，中斷也只有一個，對中斷的開銷增加也不是很大，非常適合MCU主頻低一些的控制器。

總結(jié)：我實際采用的方案3進行的優(yōu)化，優(yōu)化后，帶滿載測試，通道1的電流15.9A，通道2的電流16.1A。效果非常理想。

今天又和大家分享了一個干貨，干干的貨呀?，謝謝大家支持?。?！

申明：由于本人水平一般，分享的知識有誤，或者采用的方案不夠好的，歡迎各路大神指正批評，給大家?guī)淼牟槐悖凑堈徑?，本文觀點僅供參考。