根據(jù)第一章節(jié)反激拓?fù)?—反激電路的由來(lái)最后演變而來(lái)的反激拓?fù)洌瑢㈤_(kāi)關(guān)S更換為產(chǎn)品開(kāi)發(fā)過(guò)程中常用的MOSFET

1、反激電源的分類，根據(jù)其電流的連續(xù)性分為CCM（連續(xù)工作模式）、CRM（臨界工作模式）、DCM（斷續(xù)工作模式）三種，根據(jù)我開(kāi)關(guān)頻率f可以分為固定頻率模式和變頻模式

理想狀態(tài)下，CCM、CRM和DCM三種工作模式的驅(qū)動(dòng)波形、MOSFET電壓Vds和原副邊電流波形如下：

記得剛開(kāi)始接觸反激時(shí)，一直以為反激就是斷續(xù)模式，因?yàn)椴还芸丛呺娏鬟€是副邊電流，確實(shí)時(shí)斷續(xù)的，當(dāng)了解了反激電源的演變過(guò)程，就發(fā)現(xiàn)不能只看其中一側(cè)的電流去判斷，區(qū)分三種模式最明顯的方法就是電流，CCM模式最容易識(shí)別，在開(kāi)關(guān)管開(kāi)通瞬間，原邊或者副邊的電流波形不為0即為連續(xù)模式，想要比較清楚的區(qū)分CRM和DCM模式，就需要同時(shí)把原副邊的電流波形測(cè)量出來(lái)進(jìn)行對(duì)比了。2、CCM工作模式分析（CRM模式可以看做是勵(lì)磁電感直流分量電流為0時(shí)的CCM模式）CCM模式下，一個(gè)周期T=ton+toff①在MOSFET導(dǎo)通過(guò)程中，即0-ton階段變壓器原邊繞組與輸入電源連接，原邊繞組儲(chǔ)存能量，且Vp=Vin，根據(jù)變壓器原理，其副邊繞組電壓Vs=Ns*Vin/Np，二極管D反向截止，Is=0根據(jù)Vin*△t=Lp*△Ip，△Ip=Vin*ton/Lp②在MOSFET斷開(kāi)過(guò)程中，即toff階段變壓器原邊工作結(jié)束，ton階段儲(chǔ)存在電感Lp中的能量通過(guò)副邊Ls進(jìn)行釋放，Vs=Vd+Vout，根據(jù)變壓器的原理，在原邊繞組上會(huì)感生出一個(gè)電壓VOR=Np*Vs/Ns，該電壓通常被稱為反射電壓，而MOSFET所承受的電壓VDS=Vin+VOR

圖1 MOSFET導(dǎo)通過(guò)程

圖2 MOSFET斷開(kāi)過(guò)程

②DCM模式分析DCM模式與CCM模式基本原理相同，差異在于DCM模式一個(gè)周期的時(shí)間T＞ton+toff，T-（ton+toff）的時(shí)間段內(nèi)，變壓器副邊電流Is=0，Vs=0，所以原邊繞組不存在反射電壓VOR，MOSFET的電壓VDS=Vin。以上分析均為理想條件下的分析，實(shí)際應(yīng)用時(shí)，由于變壓器不可避免的存在漏感等寄生參數(shù)，會(huì)對(duì)實(shí)際的工作過(guò)程產(chǎn)生比較大的影響。