STM32F103C8T6最小系統(tǒng)

很多小伙伴在進(jìn)入嵌入式的學(xué)習(xí)之前，都是會(huì)購買一塊開發(fā)板，然后看著視頻教程和案例自己修修改改，第一個(gè)工程從點(diǎn)燈開始

。

我們選取的主芯片是STM32F103C8T6,當(dāng)時(shí)是8塊錢一顆，既然是最小電路當(dāng)然包括幾個(gè)部分了。

時(shí)鐘電路：

按照咱們的選型原則啊，我們看規(guī)格書，單片機(jī)的外接晶振范圍是4M-32M之間，我們選用8M，一是常見好買，二是時(shí)鐘好計(jì)算，也好分頻。從規(guī)格書中我們可以知道，負(fù)載電容的大小也按照規(guī)格書推薦。

復(fù)位電路：

這是我們的復(fù)位電路，上電復(fù)位，還有就是單片機(jī)死機(jī)重啟的時(shí)候可以按復(fù)位鍵復(fù)位，單片機(jī)是低電平復(fù)位，高電平正常工作。單片急內(nèi)部構(gòu)造的講解相信有很多博主都有說到，就不多贅述了。

BOOT選擇電路：

在啟動(dòng)時(shí)，引導(dǎo)引腳用于選擇三種啟動(dòng)選項(xiàng)之一:從用戶Flash啟動(dòng):您可以選擇從兩個(gè)內(nèi)存庫中的任何一個(gè)啟動(dòng)。默認(rèn)情況下，選擇從Flash memory bank 1啟動(dòng)。您可以通過在選項(xiàng)字節(jié)中設(shè)置一個(gè)位來選擇從閃存庫2啟動(dòng);從系統(tǒng)內(nèi)存啟動(dòng);從嵌入式SRAM啟動(dòng)引導(dǎo)加載程序位于系統(tǒng)內(nèi)存中。它用于使用USART1重新編程閃存。

1.BOOT1=0，BOOT0=0。從用戶閃存啟動(dòng)，這是正常的工作模式。

2.BOOT1=0，BOOT0=1。從系統(tǒng)存儲(chǔ)器啟動(dòng)，這種模式啟動(dòng)的程序功能由廠家設(shè)置。系統(tǒng)存儲(chǔ)器是芯片內(nèi)部一塊特定的區(qū)域，出廠時(shí)預(yù)置了一段BootLoader（ISP程序），這是一塊ROM，出廠后無法修改。這種情況下，一般用于從串口下載程序。3.BOOT1=1，BOOT0=1。從內(nèi)置SRAM啟動(dòng)，這種模式可以用于調(diào)試，或者用于解除芯片的讀保護(hù)功能或擦除Flash我們的電路留了跳線腳，所以我們啟動(dòng)有兩種方式，我們一般用串口刷寫程序，刷寫完成后，跳線帽去掉就是正常啟動(dòng)模式，這樣就不用反復(fù)重啟了。

下載電路：

預(yù)留了JTAG口和串口下載兩種方式，也是應(yīng)對了BOOT的選擇模式，啟動(dòng)和下載更靈活。

還有重要的電源電路，這里就不說了，一定要保證進(jìn)入單片機(jī)的電源紋波要很小，最好是用LDO電源芯片。

每一路進(jìn)入單片機(jī)電源的端口要加一個(gè)0.1uF電容，走線要先經(jīng)過電容再進(jìn)單片機(jī)端口，模擬接口加磁珠隔離，避免電源波動(dòng)導(dǎo)致ADC采集電壓不穩(wěn)，反復(fù)擾動(dòng)。至于為啥加0.1uF電容,后面篇幅會(huì)講解。

這就是最小系統(tǒng)的全部了，此電路已經(jīng)批量出貨使用，大家放心借鑒，本篇結(jié)束。

小結(jié)：

1.單片機(jī)最小系統(tǒng)是板子的核心，一定要把各個(gè)部分設(shè)計(jì)好檢查好，多關(guān)注數(shù)據(jù)手冊，我們現(xiàn)在的數(shù)據(jù)手冊只是講了基本操作，還是要從官網(wǎng)下載的比較全。

2.布局布線電容要靠近端口，電源線先經(jīng)過電容然后再進(jìn)電源管腳，晶振做好包地，晶振下方不要走線。

3.ADC參考電壓一定要多注意，這里會(huì)影響采集信號，導(dǎo)致采集不準(zhǔn)，不用的io設(shè)置成輸出，避免干擾其他bank io，一般輸入加限流22/33毆姆電阻，多留預(yù)留調(diào)試電阻。