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電源去耦電容的容值分布

這篇文章來看一下PDN中的電容該如何分布,是選相同容值的呢,還是不同容值呢。

我們來看一下,下面這種情況:

上面曲線中,PDN系統(tǒng)的目標(biāo)阻抗要求在40MHz以內(nèi)小于10 mohm

在PDN系統(tǒng)中只有1個330uF,1個22uF,1個10uF電容

此時,在3Mhz以后不滿足要求,在此基礎(chǔ)上我們添加自諧振頻率比較高的100nF電容,如下:

100nF

10個

此時的PDN阻抗曲線如下(粉色):

可以看到,此時在10Mhz以后可以滿足要求,但是在6MHz左右仍然是超標(biāo)的,我們可以通過繼續(xù)增加100nF電容來使PDN阻抗繼續(xù)向下降,個數(shù)如下:

100nF

40個

在6Mhz左右還有一點超標(biāo),繼續(xù)添加100nF電容:

100nF

100個

 

此時,PDN所有頻段阻抗?jié)M足要求,但是我們發(fā)現(xiàn)了,需要100100nF電容,電容數(shù)量太多了,而且在20MHz位置設(shè)計冗余過于大了,而在3MHz左右則有一定風(fēng)險;

在只添加100nF電容時,6MHz左右位置超標(biāo)的原因是由于電容并聯(lián)的反諧振,看過上篇文章的同學(xué)肯定不陌生了,有三種因素會影響反諧振峰值,我們可以通過減小容值差的方法來減小反諧振;

選擇添加1uF電容來減小大電容和100nF電容之間的容值差,電容分布如下:

1uF          100nF

5個           20個

PDN如下:

在添加了1uF電容后,電容的數(shù)量大大減少了,曲線較之前只有100nF時也有所好轉(zhuǎn),但是此時,仍然有兩處反諧振峰有點大,因此我們可以進一步在10uF、1uF、100nF之間插入電容以減小反諧振峰,電容分布如下:

10uF     4.7uF     2.2uF      1uF    470nF    220nF    100nF

1個        1個       1個         1個      3個        3個          6個

此時,電容的種類多了,電容的個數(shù)則進一步減少,最重要的是,PDN曲線平坦的多了,除了阻抗本身以外,對于這種平坦的(諧振比較小的)阻抗曲線,一些電流產(chǎn)生的電壓噪聲更友好;

通過三種添加電容的方式,我們可以初步得到結(jié)論,盡量不要一種容值電容選到底,尤其是小電容,這樣需要很多個電容,而且在電容自諧振點阻抗降下來的同時,電容并聯(lián)反諧振峰則比較大;

而適當(dāng)選取不同容值電容配合,則可以減小電容并聯(lián)反諧振峰;

除了減小反諧振峰以外,還可以根據(jù)PDN阻抗曲線的走勢,選取自諧振頻點相應(yīng)的電容以壓低PDN阻抗,但是需要注意,電容的安裝電感會使電容的自諧振頻點向低頻移動,因此在選擇電容時需要注意,更要注重減小電容的安裝電感;

本文通過添加不同容值電容的組合,仿真總結(jié)了電容添加的基本原則,就是容值差盡量小一些,可以采用每10倍頻程3種容值的方式,此時PDN曲線最為平坦,但是電容的效果還受制于電容的安裝電感,因此在PCB布局時應(yīng)注意減小電容的安裝電感。

聲明:本內(nèi)容為作者獨立觀點,不代表電子星球立場。未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載。授權(quán)事宜與稿件投訴,請聯(lián)系:editor@netbroad.com
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