一種具有短路限制的GaN及驅(qū)動(dòng)、保護(hù)的實(shí)現(xiàn)
GaN器件的商用為電力變換器技術(shù)具有重要的意義，目前650V GaN器件已廣泛使用在電源適配、充電器、通信電源等領(lǐng)域，由于具備低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)頻率，能有效地提高電源的功率密度和效率、減小其體積。
驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET有多容易？
平時(shí)我們使用充電器，一般都是關(guān)注充電器的品牌，是小米還是華為，不會(huì)去在意它里面是使用的什么材料，為什么小米這款65W的充電器要單獨(dú)說(shuō)明是GaN呢？
基于GaN FET的12V1200W LLC電源設(shè)計(jì)指南
在一般的規(guī)格書電氣特性中，我們可以看到會(huì)標(biāo)識(shí)功率模塊的漏電流參數(shù)值，以MSCSM120AM16CT1AG這個(gè)1200V 12.5mohm典型阻抗的功率半橋模塊來(lái)說(shuō)，其漏電流為如圖1所示
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十）——功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性
