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沒試過.不過,MOSFET和IGBT相比,工作頻率要高,再一個MOSFET的導(dǎo)通壓降比IGBT大,這個對IGBT的過流保護(hù)有影響.

快速抽去G極的電荷,使之快速關(guān)斷;提高其抗干擾的能力,這與的三極之間的分布電容有關(guān).

對,電壓一般擊穿,電流一般炸模塊.

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