lianghn：
IGBT不停的開關帶來的開關損耗是造成IGBT過熱的主要原因:IGBT的導通損耗主要由IGBT可靠導通時C、E極間的電壓VCE(sat)決定,VCE(sat)越小,導通損耗越小,而VCE(sat)與G極的驅動電壓和可靠導通時流過IGBT的電流有關.另外IGBT導通瞬間C、E極間的電壓uCE會產生尖峰電流致使IGBT發(fā)熱IGBT的關斷損耗主要取決于關斷時的電流大小及關斷速度,由于IGBT的G、E極間存在寄生電容CGE及驅動電路內阻,使得IGBT的驅動電壓在關斷過程中不能很快的下降,因而可能會導致IGBT工作在放大區(qū).