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請(qǐng)問(wèn)你這個(gè)是空載情況下，還是帶負(fù)載情況?？蛰d情況下OB2203具有空載關(guān)斷VCC，OB6563的功能。為了降低待機(jī)功耗。你必須帶載20W以上，才有電壓輸出。 

是的。我也覺(jué)得左邊的有點(diǎn)問(wèn)題。F太假了。F旁邊還弄個(gè)N。好像是FN的品牌冒牌仙童的。我看了很多仙童MOS管，F(xiàn)都是右邊的。

問(wèn)一下前輩們！原來(lái)電子整流器，原來(lái)用的是4U的65W的燈管，現(xiàn)在更換為65W的螺旋燈管。請(qǐng)問(wèn)這個(gè)電子整流器需要更愛(ài)那些參數(shù)。如果這2個(gè)燈管的電壓和電流一樣的話。是否這個(gè)電子整流器可以通用。謝謝！

我也試過(guò)，我發(fā)現(xiàn)單級(jí)PFC不適合用在LED上，用純電阻測(cè)試電流很穩(wěn)，帶上LED之后電流就會(huì)跳變。而且LED會(huì)燈閃。目前這個(gè)問(wèn)題我也已近給OB的人在調(diào)試。難搞。不知道每天在討論SA7527的那幫人應(yīng)用在LED上的反映是怎么樣的。有沒(méi)有發(fā)現(xiàn)LED會(huì)閃爍的。

單級(jí)PFC電路，不適合運(yùn)用在LED上，輸出紋波電壓和電流很大，導(dǎo)致LED燈閃，供給LED的電流不穩(wěn)定，除非像上面的樓主說(shuō)，后級(jí)加DCDC電路，但是成本馬上又上了一個(gè)臺(tái)階。據(jù)說(shuō)已經(jīng)有很多公司在批量了，但是不知道別人是怎么解決燈閃的這個(gè)問(wèn)題?？蛻羰侨绾谓邮盏摹Ｎ野l(fā)現(xiàn)有一個(gè)奇怪的現(xiàn)象，接上純電阻負(fù)載測(cè)試時(shí)，電流表顯示的電壓電流很穩(wěn)定。但是接上實(shí)際LED負(fù)載后，輸出電壓和電流就不穩(wěn)定了。LED不停的在閃。電流也不段的在變化。

啟動(dòng)困難，你肯定沒(méi)有加輔組繞組。寬電壓輸入，我用TNY系列5W以上就需要加輔組繞組了。在批量生產(chǎn)的時(shí)候，就要看芯片的穩(wěn)定性了，就有一部分啟動(dòng)困難的。你這個(gè)現(xiàn)象，如果沒(méi)有加輔組繞組是正常的。

你用CR模式測(cè)試。你空載電壓輸出12V，你可以20R的電阻測(cè)試，你用三極管恒流的話。三極管會(huì)有溫飄的。Vbe壓降0.7V會(huì)隨溫度升高而下降。所以你老化一段時(shí)間電流360mA，會(huì)往下降，自然你電壓也會(huì)往下降。一般可以降60mA。炸機(jī)一般是由于變壓器設(shè)計(jì)不合理引起。你可以更改你變壓器設(shè)計(jì)建議使用：NP=120TNS=18T 占空比0.45MAXLP=2mH你可以試一下。 

問(wèn)題1:D1,D2發(fā)熱是由于負(fù)載太重引起的.問(wèn)題2:負(fù)載R32端電壓只有200V說(shuō)明可控硅沒(méi)有完全導(dǎo)通.問(wèn)題3:壓敏電阻R4,自己燒壞,你用的是7D431K,擊穿電壓是430V.一般V1mA=1.5Vp=2.2VAC因?yàn)锳C220V的峰值是V1mA=1.5Vp=1.5××220V=330V,所以選擇壓敏電阻的擊穿電壓是V1mA=2.2VAC=2.2×220V=484V,所以建議應(yīng)該選擇7D471K,或者10D471K.問(wèn)題4:用Q2的方式驅(qū)動(dòng)是可以的.問(wèn)題5:雙向可控硅上的壓降太大說(shuō)明你可控硅沒(méi)有完全導(dǎo)通.雙向可控硅的最佳工作方式是在2、3象限,你現(xiàn)在工作在1、4象限,雙向可控硅工作在4象限,是可控硅最弱的時(shí)候,容易損壞.所以有條件最好能更改驅(qū)動(dòng)方式,用低電平驅(qū)動(dòng)雙向可控硅,使他工作在2,3象限.你可以去網(wǎng)上去看看可控硅應(yīng)用10大準(zhǔn)則.你可以仔細(xì)看一下你的可控硅資料B136,當(dāng)T2+G+,T2-,G+的驅(qū)動(dòng)電流和維持電流需要多少.驅(qū)動(dòng)電流T2+G+,50MA,T2-,G+,100MA,維持電流T2+G+,30MA,T2-,G+,30MA.在加上你的IC和,Q2的驅(qū)動(dòng)電流和維持電流.注意你的阻容降壓電路,必須要在100MA以上.然后在看看你的1UF的電容,能否滿足這么大電流.(所以你去按照阻容降壓公式算一下滿足這么大的電流需要多少的電容).所以也就可以解釋,為什么你電壓會(huì)下降,D1,D2為什么會(huì)發(fā)熱,雙向可控硅為什么沒(méi)有完全導(dǎo)通.

問(wèn)題1:D1,D2發(fā)熱是由于負(fù)載太重引起的.問(wèn)題2:負(fù)載R32端電壓只有200V說(shuō)明可控硅沒(méi)有完全導(dǎo)通.問(wèn)題3:壓敏電阻R4,自己燒壞,你用的是7D431K,擊穿電壓是430V.一般V1mA=1.5Vp=2.2VAC因?yàn)锳C220V的峰值是V1mA=1.5Vp=1.5××220V=330V,所以選擇壓敏電阻的擊穿電壓是V1mA=2.2VAC=2.2×220V=484V,所以建議應(yīng)該選擇7D471K,或者10D471K.問(wèn)題4:用Q2的方式驅(qū)動(dòng)是可以的.問(wèn)題5:雙向可控硅上的壓降太大說(shuō)明你可控硅沒(méi)有完全導(dǎo)通.雙向可控硅的最佳工作方式是在2、3象限,你現(xiàn)在工作在1、4象限,雙向可控硅工作在4象限,是可控硅最弱的時(shí)候,容易損壞.所以有條件最好能更改驅(qū)動(dòng)方式,用低電平驅(qū)動(dòng)雙向可控硅,使他工作在2,3象限.你可以去網(wǎng)上去看看可控硅應(yīng)用10大準(zhǔn)則.你可以仔細(xì)看一下你的可控硅資料B136,當(dāng)T2+G+,T2-,G+的驅(qū)動(dòng)電流和維持電流需要多少.驅(qū)動(dòng)電流T2+G+,50MA,T2-,G+,100MA,維持電流T2+G+,30MA,T2-,G+,30MA.在加上你的IC和,Q2的驅(qū)動(dòng)電流和維持電流.注意你的阻容降壓電路,必須要在100MA以上.然后在看看你的1UF的電容,能否滿足這么大電流.(所以你去按照阻容降壓公式算一下滿足這么大的電流需要多少的電容).所以也就可以解釋,為什么你電壓會(huì)下降,D1,D2為什么會(huì)發(fā)熱,雙向可控硅為什么沒(méi)有完全導(dǎo)通.

UL8750我看了一下好像對(duì)LEDITE電源只是在UL1310的基礎(chǔ)上改變?cè)黾恿藢?duì)LED整套結(jié)構(gòu)的安規(guī)外,就是對(duì)恒流精度的要求.但是我沒(méi)看到對(duì)PF值和THD諧波規(guī)定的要求.想問(wèn)一下大家,就是LED標(biāo)準(zhǔn)輸入電壓是否按照UL1310的額定標(biāo)稱電壓AC100-240V,輸入電壓范圍AC90-264V來(lái)設(shè)計(jì).但是又看見(jiàn)好多人對(duì)AC電壓做了調(diào)整AC80-277V或者有人還調(diào)到了AC80-300V所以我想AC電壓高到264V以上他的PF就開(kāi)始往下掉了,THD諧波也會(huì)增加.這樣的話想問(wèn)大家AC277只是個(gè)AC過(guò)壓測(cè)試,這個(gè)時(shí)候?qū)F值還有要求嗎?是否PF還需要大于0.9以上.那對(duì)于AC300V的要求又是誰(shuí)提出的.