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暫無(wú)內(nèi)容
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liugai:
聽(tīng)君一番話,勝讀十年書.下面的講解都很獨(dú)到,贊一個(gè).[圖片]但這第2貼講到的功率算法有點(diǎn)問(wèn)題:開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通損耗Pd=Id*Id*Rds(on)*D;兄臺(tái)好象漏了占空比,這個(gè)比較重要.所以其實(shí)導(dǎo)通損耗占的比重很小,大部分是開(kāi)關(guān)渡越損耗,那么更換Qg較小的MOS管就顯得很有意義了.
2012-11-03 11:24 回復(fù)
原帖:【草根大俠】貼 關(guān)于MOS管導(dǎo)通內(nèi)阻和米勒電容(Qgd)差異對(duì)效率的影響
liugai:
應(yīng)該是和環(huán)路控制有關(guān),建議用電容調(diào)試一下,看是否可用小容值的電容取代。
2012-10-20 19:01 回復(fù)
原帖:TL431與1N4148作用
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