在明明德：
建議你采用MOSFET.原因:IGBT在耐壓600V以上之領(lǐng)域的功率損失相當(dāng)?shù)?雖然可以藉IC之設(shè)計(jì)技術(shù)提高BJT之性能,但是,無法根本解決BJT的電荷存儲時(shí)件問題(BJT在OFF時(shí)需耗費(fèi)較長時(shí)間),因此,在需要作高速開關(guān)動作之領(lǐng)域較不適合使用IGBT,但是,在使用AC市電驅(qū)動之場合(例如驅(qū)動馬達(dá)等之場合),在高電壓大功率之應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)使用IGBT的效率遠(yuǎn)較MOSFET高.