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比較喜歡用TL494.

我理解你說的意思，不過呢，這里的情況其實不一樣：因為deltB不是從0開始算的，而是最大值減去最小值，連續(xù)模式下，B值是不會復(fù)位到0的。當(dāng)直流偏置電流增加的時候，deltB并不是變大，而是變?。贿@就意味著，當(dāng)deltB增大的時候，偏置電流是減小的，磁芯是不容易飽和的，當(dāng)然其最大值也就不是更接近Bmax，而是遠(yuǎn)離Bmax。是否飽和，最主要的原因還是直流偏置，這也是輸出濾波電感要用有氣隙或者均勻氣隙的電感的原因。我是測過的，有些情況下不明顯，與穩(wěn)態(tài)點(diǎn)的占空比有關(guān)系。我做過的東西都是大功率，反激以前我不重視，通過這個貼的討論，對反激清晰了很多。 

請看“deltB的變大，就意味著deltB的最大值就會越接近Bmax”這句話應(yīng)該改為“deltB的變小，就意味著deltB的最大值就會越接近Bmax”輸入電壓降低的時候，deltI是會減小的，紋波電流也是會減小的。至于你信服誰，這是你的事情，我在論壇只是指出別人的不足，也歡迎別人指出我的不足。別人反對我，我不會說“請自重”這樣搞笑的話。

好，非常歡迎深入討論問題。第一：在CCM模式下，隨著輸入電壓的減小，占空比增大，根據(jù)伏秒積守恒Vin*Ton=Vr*(1-Ton)，Vr不變，所以此時伏秒積最小，相關(guān)解釋也可以參考BODE的解釋。在實際中，想提高反激的效率，工程師都是考慮CCM，而不是DCM。第二：deltB越小的時候B會越大，而不是第50貼所說的"deltB越大B就越大"。第三：不能光憑感覺就說Ton越大，伏秒積就越大，事實上是越小，原因已經(jīng)在第一點(diǎn)中說清楚了;又Vin=L*deltI/Ton，也即Vin*Ton=L*deltI，所以說輸入電壓越低，deltI最小，對應(yīng)于25貼的圖形，既然deltI最小，此時的deltH=deltI*N/l(l是磁路長度)也最小，那么deltB當(dāng)然也是最小的。你如果不相信，自己拿示波器去測試，輸出功率不變的時候，輸入電壓減小，看看到底deltI是增大還是減小；想要獲得自信最好的辦法就是自己的實踐驗證了自己的推理。為什么我總是要指出版主的錯誤，原因就是版主的話，影響的范圍太寬了；別人說話可以措辭不嚴(yán)謹(jǐn)，但是對于版主，措辭必須嚴(yán)謹(jǐn)。

說實話，我不明白哪里攻擊你了，我所說的只不過是你的觀點(diǎn)有錯誤而已。并且這種觀點(diǎn)顯然很多人已經(jīng)采信了。你所述的“deltB越大B就越大”，的確是欠缺考慮的。我所說的不要相信高手，不過是希望每一個工程師相信自己而已。既然是論壇，當(dāng)然要把技術(shù)問題辨明白，如果做產(chǎn)品，我從來不會這么去深究，只要符合我提出的技術(shù)要求就OK了。

82貼的說法沒錯，說明版主后來進(jìn)行了進(jìn)一步的思考。使用那個公式得說明用在斷續(xù)模式。不過deltI的寫法會有歧義，很多初學(xué)者很容易混淆，往往把斷續(xù)模式的公式應(yīng)用在連續(xù)模式；國內(nèi)很多寫書的“教授”引用這個公式都是錯的。氣隙增大，deltB并不會增大，只是同樣的deltB對應(yīng)的deltH變大了。

還是正激樓主對正激理解比較深刻，贊一個。

電容有耦合作用，電容越大，耦合作用越強(qiáng)；加電容后，PIN4的鋸齒波耦合到PIN3。

認(rèn)同樓主的說法，原因很多，不過調(diào)機(jī)的過程中，環(huán)路不穩(wěn)定占的比例較大。

這個電路，我在風(fēng)光互補(bǔ)控制器上用過，使用單片機(jī)控制。