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不錯(cuò),電流是電子能量的傳遞,就像多米諾效應(yīng)一樣.電子本身的振動(dòng)是很微小的,但一旦有電場(chǎng)存在,電子就朝著電場(chǎng)相反的方向傳遞能量,速度就是電場(chǎng)的速度,也就是光速.

1.MOSFET是電壓型驅(qū)動(dòng)器件,輸入阻抗很大,驅(qū)動(dòng)電流很小.2.EMI濾波電感并不是線徑越大損耗越小,它有個(gè)最優(yōu)線徑,以及如何繞制的,最好不要疊繞,此外磁心的材質(zhì)是否選用合理也是損耗較大的因素之一.

電場(chǎng)的建立,另外如果是電子的流動(dòng),電流建立起來(lái)不會(huì)那么迅速.

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不同于廠商的磁損計(jì)算公式,由于他們提供的是基于正弦波激勵(lì)的損耗公式,因此需要做等效頻率的計(jì)算在先.此外,還要留出一次冪的開(kāi)關(guān)頻率出來(lái),剩下的按等效頻率來(lái)計(jì)算.

一般廠商會(huì)提供計(jì)算鐵損的計(jì)算公式,銅損部分需要自己計(jì)算.銅損主要是DC和AC損耗,中間要用到Dowell公式計(jì)算AC電阻.

請(qǐng)問(wèn)為什么既要提高頻率又要提高Br?一般在軟磁材料中,為了減小體積尺寸,提高對(duì)外加磁場(chǎng)的反應(yīng)能力,要求Br要小,你為什么要提高它?有什么應(yīng)用上的考慮嗎?

shixiaemail@163.comthanksalot!!!

AnsoftEMTHANKS!!!

我想了解AnsoftEM軟件的使用說(shuō)明，謝謝?。?！