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你把PCB截個(gè)圖出來(lái)，標(biāo)記一下各點(diǎn)波形。今天仔細(xì)看了一下你的描述，你說(shuō)的是驅(qū)動(dòng)輸入端電壓變低，和我以前遇到的還不一樣?？梢赃@樣試試：1.斷開(kāi)驅(qū)動(dòng)芯片到MOS的回路，把MOS柵極拉到地，這個(gè)狀態(tài)看信號(hào)是否正常。信號(hào)正常說(shuō)明功率回路與信號(hào)地有共用回路，導(dǎo)致邏輯電平受干擾。2.斷開(kāi)驅(qū)動(dòng)芯片輸入信號(hào)，驅(qū)動(dòng)芯片輸入端拉到地，測(cè)試此時(shí)邏輯信號(hào)是否正常。

以前碰到過(guò)相似波形，原因是mos驅(qū)動(dòng)芯片的地饒了一大圈才到mos的s極。你可以檢查一下驅(qū)動(dòng)線路是否繞遠(yuǎn)了或者驅(qū)動(dòng)回路與功率回路的地有公共部分。

橋式整流就不存在這個(gè)可能了。

電壓不對(duì)稱是因?yàn)槌跫?jí)線圈對(duì)兩個(gè)次級(jí)線圈的漏感不一致引起的。初級(jí)與次級(jí)的漏感主要由相對(duì)位置決定，保證兩個(gè)次級(jí)對(duì)初級(jí)的相對(duì)位置一致，漏感的差別就會(huì)小很多。嘗試過(guò)次級(jí)雙線并繞兩層，一、二層都按照1,2順序繞漏感差別較大，后來(lái)改為一層1、2繞，二層2、1繞漏感差別就小很多。

在MOS關(guān)斷信號(hào)前上翹，那就說(shuō)明變壓器磁芯飽和了，需要改一下變壓器匝數(shù)和氣隙。

這個(gè)IC應(yīng)該是初級(jí)的反激電源控制IC。把電源腳，地線腳，電流檢測(cè)腳，PWM信號(hào)腳等功能腳確定后，到各個(gè)做控制IC的廠家網(wǎng)站去找6條腿的IC，各個(gè)腳可以對(duì)應(yīng)起來(lái)的就是了。

如果LED燈拉的比較遠(yuǎn)的話，導(dǎo)線會(huì)有一定的電感，在關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的尖峰電壓擊穿MOS。如果這個(gè)導(dǎo)線電感存儲(chǔ)的能量超過(guò)MOS可以承受的雪崩能量，MOS就可能掛掉。你用示波器捕捉一下LED關(guān)斷時(shí)MOS的DS上的電壓看看，可以嘗試在MOS的DS并大功率TVS管把尖峰電壓鉗住。

你的這個(gè)V+的公式只是算出來(lái)V+對(duì)Vref的電壓，對(duì)地電壓還要加一個(gè)Vref。

這個(gè)電容影響不大。最好還是找到燒電容原因。1.輸入有過(guò)電壓？2.溫度過(guò)高？3.電容品質(zhì)問(wèn)題？

結(jié)果錯(cuò)了吧。按照你的公式要是V2=V1，Vout=-R3/R1*Vref。這個(gè)是基本的差分放大疊加直流偏移，Vout=(V2-V1)*R3/R1+Vref。V+的計(jì)算公式錯(cuò)了。