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C1充電是主要是在下橋T2導通時充電充飽的吧。帶電機狀態(tài)下，另一橋臂T4長通時，T1關斷時C1是可通過T4構成一個充電回路，只能充到VCC的73%左右。呵呵，個人愚見哈！

望各路大俠多指導

謝謝！在兩個D之間加電容比D與公共抽頭之間加電容承受的電壓要大一倍吧，我想把電容加在中心抽頭與D之間會好些，因為有兩個電容，兩個原邊每個周期電容都在充放電，開關管之間電容加大后尖峰電壓是有所抑制，但效率會有所影響，不是解決問題的根本！我發(fā)現死區(qū)在負載越輕的它對開關管的損耗越大（變壓的勵磁電感與漏感串聯(lián)，在開關管關斷后，電流不能突變，由于漏感的原因初級的能量不能耦合到次級去，自感的條件下形成一個反向的電壓阻礙電流的變?。┰谶@我想變壓器的匝比變大后，漏感與磁場強度與dv/di的某些直接聯(lián)系!在網上也看了不少這方面的資料,想實驗在兩原邊各開關管D管腳去中心抽頭中間加個MOS管在死區(qū)時間讓它導通,這樣開關管在死區(qū)時鉗位于Vdc.不知道這樣妥不妥，在死區(qū)時導通的MOS管實際上就是把原邊繞組短路，這時對副邊兩個二極管續(xù)流有沒有影響！ 

謝謝大家,尖峰寬有710NS了,請問有沒有好的繞制方法了!減少漏感!

我現在重繞了一個變壓器，我懷疑是漏感太大造成的！

第一圖是半橋上管驅動的VGS，第四圖是下管VDS，，測量上管的VGS與VDS都沒有下管的好看！測時并發(fā)出吱吱聲！還望各路朋友說說，不吝賜教！

我想，輸入是會引起輸出變化的，掉電的時候，是不是輸入也在發(fā)生改變，有些地方是不是電壓要多維持住一會！

謝樓主,好東西,謝謝

先謝樓上的兄弟,初級電感量由漏感和勵磁電感組成,勵磁電感決定勵磁電流,成正比,他是一個初始磁導率下的電感量!我做的不是反激,我看書上的電感量與磁性材料,匝數,和氣隙有關,公司每次出去打樣都標了一個電感量,我就在想,匝數有了,磁性材料確定了,除反激外一般變壓器不開氣隙,因為氣隙的增加.勵磁電流的增大,漏感的增加,所以效率就降低了.為什么要寫電感量呢,

十二、各繞組線徑確定電流密度J=Kj*Ap-0.14/100=531*2.36-0.14/100=4.71A/mm21、Snp1=N1*I0/Np/J=10*12.5/13/4.71=2.04mm2,30股0.302直徑線并繞2、Sn1=Sn2=0.707*I0/J=0.707*12.5/4.71=1.88mm2,30股0.302直徑線并繞十三、磁芯尺寸的檢驗總線面積=(30*13+30*10*2)*0.302*0.302/4*3.1416=70.9mm2磁芯窗口面積Aw=265mm2窗口利用率70.9/265=26.8%,滿足要求I1m=4.3A,I1=I1m*=0.43A取電流密度j=400A/cm2,則初次級導線截面為Su1=I1/j=0.43/400=0.11*10-2cm2=0.11mm2Su2=Su3=I2/j=0.215/400=0.055mm2考慮集膚效應,工作頻率100KHz時,查得導線線徑不能大于2*0.2=0.4mm,取d1=0.38mm,Su1=0.114mm2d2=d3=0.27m,Su2=Su3=0.0573mm26.校核鐵芯窗口面積Ku=0.114*38+2*0.055*38/25.8=0.336