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email可以么？gardenyu2004@hotmail.com

現(xiàn)在結(jié)果如何了？能否更新一下？我看了下原理圖，如果RT1夠熱，C5,C6又沒有電壓時(shí)，Q1的初始電流可能會(huì)很大？不清楚Q1任何情況下的損壞會(huì)對(duì)穩(wěn)壓管D1有任何影響，似乎理論上MOSFETgate-drain很少擊穿？請(qǐng)看看我的問題。http://bbs.dianyuan.com/topic/703113

老兄，請(qǐng)問你的問題解決了沒有？有空請(qǐng)幫我看看我的３４４５問題。http://bbs.dianyuan.com/topic/703113

提幾個(gè)建議.先把吸收回路拿掉或者用電壓很高的transil,測(cè)以下漏感引起的峰值多高,我現(xiàn)在發(fā)現(xiàn)設(shè)一個(gè)低的transil電壓有時(shí)表現(xiàn)很怪.最好再換個(gè)耐電壓高點(diǎn)的MOSFET,反正這個(gè)程度上價(jià)錢區(qū)別不大.R8應(yīng)該直接接地,現(xiàn)在你的MOSFET關(guān)斷時(shí)的雜波都到R10上去了.CP4太大,你可以試試100P或470P.

請(qǐng)教一下為什么二級(jí)管快了反而不行?

你可以用個(gè)簡(jiǎn)單darilington管,單片機(jī)直接驅(qū)動(dòng),再大的電流darlington也能帶動(dòng),為保險(xiǎn)起見也可換成optoisolator.

gardenyu2004@hotmail.com

您好,能不能給我一份你的C仿真程序?

accordingtoFairchild,use2-3uFperwattfor85-265Vinput,use1uF/Wforeuropean195V-265V.