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圖（1）正確，可以工作。圖（2）錯(cuò)誤，但其中的三極管換為場管或IGBT管，就正確了，而且非常的妙！

僅系信號驅(qū)動(dòng)，高頻低頻都無所謂。

兄弟們： 好貼一定要頂，要頂?shù)礁叱卑?！xujay 后級緩降柵壓短路保護(hù)，采用的是檢測IGBT導(dǎo)通壓降，超過6.5V,立即執(zhí)行緩降柵壓過程...............能說說工作原理和意義嗎？

原因（1）空載初級電磁感應(yīng)電壓高于IRF150的最高耐壓值，可以選用更高值的管子，如IGBT類管子（2）與IRF150并聯(lián)電容C在初級感應(yīng)充電電壓很高，它放電時(shí)可以經(jīng)8050擊穿IRF150柵極，可以在電瓶并上一個(gè)電容吸收C的高壓放電。

原圖的NE555供電，可以直接從電源供給。另外下面一些問題可能是原版主失誤，（1）電阻R117 R18用一個(gè)就可以了。（2）如果R117R18間與次級有交點(diǎn)相連，那就是筆誤了。（3）按原圖555供電方式，短路控制的可控硅控制555的3腳速度更快。

    上帖：在低頻窄脈沖下起碼它成了帶“柔性”的軟開啟和軟關(guān)閉，不會莫名奇妙再擊穿漏柵極。根據(jù)我早些年從事UPS和大功率全橋高頻電焊機(jī)研發(fā)的經(jīng)驗(yàn)來看，場管和IGBT最大損壞原因是驅(qū)動(dòng)波形的上升沿和下降沿不合理，引起無法可靠關(guān)斷或關(guān)斷過快，所產(chǎn)生的尖峰電壓太高造成的。 疑問（1）IGBT的開關(guān)工作狀態(tài)要求，驅(qū)動(dòng)的上升盡量快，使得IGBT快速進(jìn)入飽和，而大師的意思是讓其有一個(gè)線性軟開啟，難道不怕發(fā)熱，和損耗功率（2）對于關(guān)斷過程，按要求盡快進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)，如果軟關(guān)閉，必然使管子受損，（3）大師這方面研究多年，能不能就上面的問題，對驅(qū)動(dòng)信號的上升沿和下降沿的質(zhì)量要求，及其對于IGBT的損害，做個(gè)簡單說明，以啟發(fā)我等后學(xué)之輩。  ————多謝了?。。?，

謝謝把酒兄弟捧場。上圖是普通場管是不需要負(fù)壓，在低頻下就可以自行關(guān)閉?，F(xiàn)在新出的IGBT也不再需要負(fù)壓就可以自行關(guān)閉。這樣可靠性會更高。很多不成熟的魚機(jī)照搬高頻電路驅(qū)動(dòng)的方法來驅(qū)動(dòng)魚機(jī)的低頻窄脈沖，注定用不久就會炸管。原因是他們都是用PNP管去加速放掉柵極的導(dǎo)通時(shí)的電荷，使之快速截止。殊不知，恰恰是這個(gè)PNP壞的事。因?yàn)閷τ谌菪载?fù)載的水電阻來說，兩端電壓不能突變，截止過快，截止產(chǎn)生的過高峰壓只有兩個(gè)釋放途徑：一、通過水阻往  700V高壓端釋放（這個(gè)峰壓本來就來自這里）。二、通過漏柵結(jié)電容往柵極（離地不到20V）釋放，把酒兄弟，你說它該走哪條路？現(xiàn)在你該理解那些所謂的大師級成熟的電路，為什么在用場管和IGBT做后級時(shí)，實(shí)驗(yàn)室怎么短路都不壞，而一下水就壞的原因了吧？他們損壞的場管和IGBT實(shí)際上都不是漏源極短路，而是漏柵極擊穿。因?yàn)槭菑捏w內(nèi)結(jié)電容來的電流，柵級外加穩(wěn)壓管都沒用。再大功率的IGBT都要死。我曾經(jīng)實(shí)驗(yàn)過，給朋友做一臺400V的300W的無磷魚機(jī)，用PNP管加速放電時(shí)K2611（10A1000V）下水不久就壞，幾次如此。改成上述驅(qū)動(dòng)后，用IRF830（4.5A，500V）用了幾年都沒壞。能看出我這個(gè)看似最簡單的驅(qū)動(dòng)其蘊(yùn)涵的“柔性截止”的技術(shù)含量了吧？呵呵，希望沒白說！44帖疑問：----- 看似最簡單的驅(qū)動(dòng)其蘊(yùn)涵的“柔性截止”的技術(shù)含量（1）以個(gè)人陋見，這種“柔性截止”的技術(shù)，必須是前級功率也是“柔性的”，即9N90輸出能是前級電壓下降很大，（2）如果前級功率很充足，9N90輸出并不能使前級電壓有許多下降，假設(shè)還有700伏，那么對于漏柵結(jié)電容，如果存在擊穿的話，不管是那種形式，只要電壓值超過，都會擊穿的（3）大師的解釋是否欠佳，望明示。

sangjuen ： 早期的IGBT驅(qū)動(dòng)時(shí)，正脈沖過后需要負(fù)3到負(fù)5V的負(fù)脈沖才能關(guān)                     閉hbzjcjw  ：    現(xiàn)在的ＩＧＢＴ和ＭＯＳ是差不多的，根本不用負(fù)壓，  那么問題 ：現(xiàn)在的ＩＧＢＴ和ＭＯＳ，如果繼續(xù)用負(fù)3到負(fù)5V的負(fù)脈沖關(guān)斷，是　　               不是效果會更好呢？

頂力推薦，好圖，工作性能絕對可靠，就是15年不壞，害苦維修人員了。