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最后我確定了Nr=Np，占空比取0.42，實測時恢位繞組的上的D1峰值電壓超高。在交流輸入155V時，直流輸出26V,負載10R,復位繞組的二極管峰值電壓到達800V，請問下這是為什么。[圖片][圖片]

這么小能做65W,能不能上個原理圖，用什么方案做的，效率這么高。

我在做一個AC/DC的單端正激150W的方案。輸入AC220后經(jīng)整流橋，輸出48V。要是取占空比>50%，那原邊MOS管的電壓應力就會加大，要是取小于0.4的占空比，副邊的紋波電流大，副邊繞組的匝數(shù)會多，副邊整流管的電壓應力也會大，所以該如何取Nr,Np會比較好。還是說這個拓樸不適合做種場合應用。

當Nr=Np時，復位繞組的電壓會等于輸入電壓，此時占空比不能大于0.5.否則磁心飽和。這個大家都知道。之所以提出這個問題，是想有沒有辦法通過調(diào)節(jié)Nr,Np匝比，來實現(xiàn)占空比大于0.5.這又該如何實現(xiàn)，望高手們發(fā)表發(fā)表。

先上個圖，這樣才好分析[圖片]

噪音是指什么。

在半橋驅(qū)動電路中的R1限流電阻，還有緩沖的R2,C1能不能用普通的0805封裝在AC/DC模塊中的反饋繞組中的限流電阻能不能也用普通的0805封裝這些地方都是高壓區(qū)，但是相對電壓又是低壓的，受限于布板一直很想貼片化，上頭領(lǐng)導出于安全穩(wěn)定性考慮還是保留了較大的裕量。所以很想知道各位大俠們，在實際工程應用中這些地方參數(shù)是如何選擇。

這個思路我還是覺得比較好一點吧。因為在批量生產(chǎn)時難免出現(xiàn)各種問題，對測試人員也是一種保護