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木有看見你的原理圖??！

簡單的講，所謂線性調(diào)制率和負載調(diào)制率的目的就是要考察電源的穩(wěn)定性，也就是電源的環(huán)路設(shè)計是否合理。一般來講，我們計算的都是取極端值，最大和最小值。不會出現(xiàn)負數(shù)，因為是取絕對值。

 談一談MOSFET的溫升。1,MOSFET的溫升與損耗相關(guān)，F(xiàn)et的損耗包括開關(guān)損耗和導通損耗；2,導通損耗的計算公式Pcond=Idc*Idc*D*Rds(on)---與門級驅(qū)動沒有什么關(guān)系；3,所以我們的重點是分析開關(guān)損耗，下面我們看看開關(guān)損耗的計算公式A，Psw=1/3*Vds*Idmax*Tcross*Fsw(電阻負載)B，Psw=Vds*Idmax*Tcross*Fsw(電感負載)從上面的公式，我們可以看出開關(guān)損耗，在Vds,Idmax,Fsw一定的情況下，與電流與電壓的交叉時間Tcross關(guān)系很大(也就是門極驅(qū)動)C, 基本上Tcross由Fet的柵極充、放電時間常數(shù)Tg=Rdrive*Cg和門限電壓Vt來決定---(Cg=Cgs+Cgd,Cg為輸入電容，Rdrive為驅(qū)動電阻)

查了一下書，要考慮MOSFET的門限電壓。一般而言，如果門限電壓大于2V，那么Rdrive-on/Rdrive-off的比值小一些可以減小開關(guān)損耗；如果門限電壓小于2V,那么Rdrive-on/Rdrive-off的比值大一些好。

 1,負載調(diào)整率測試:以AC輸入為例，輸入220Vac，測得負載為50%條件下的輸出電壓為V1；然后將負載調(diào)至空載0%，測得電壓為V2;最后將負載調(diào)至滿載100%，測得電壓為V3,負載調(diào)整率＝|V2-V1|/V1×100%與 |V3-V1|/V1×100% 中的最大值                 2,電壓調(diào)整率測試：  以AC輸入為例，輸入220Vac，負載滿載時，讀取Vo電壓表數(shù)據(jù)V4，調(diào)節(jié)輸入電壓Vin=85Vac，從萬用表上讀取輸出電壓V5，然后再調(diào)節(jié)Vin＝264Vac，從萬用表上讀取輸出電壓V6，      則電壓調(diào)整率為: |V5-V4|/V4×100%與 |V6-V4|/V4×100% 中的最大值3,穩(wěn)壓精度測試  斷開所有負載，分別測得Vin=85Vac,Vin=264Vac輸入條件下的輸出電壓為V6，V7      則穩(wěn)壓精度為：|V2-V4|/V4×100%,|V3-V4|/V4×100%,|V6-V4|/V4×100%，|V7-V4|/V4×100%中的最大值。 一般來講溫升器件主要包括功率級電感，F(xiàn)ET，Diode，主變壓器，散熱片等。機內(nèi)的溫度必須嚴格控制，一般可采用風冷的方式。

論壇里，請注意你的言行，不看你可以繞道啊。

謝謝分享。

繞制的時候，盡量均勻，不要集中在一頭或者交叉。

你的門級驅(qū)動電阻怎么選的，貌似下圖的大些啊。

謝謝！~[圖片]