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只是想MOS不一樣，寄生電容值不一樣，導(dǎo)通阻抗不一樣，開關(guān)速率不一樣，能否有點改善。但實測，完全沒有影響。

紫色為輸出電壓波形。二次側(cè)的尖峰電壓反映到了輸出端。[圖片]

現(xiàn)在用的東芝的TK25A10K3，換過華潤華晶的CS35N10FA9，沒有明顯變化。華潤的Rds更小，寄生電容大點。下圖東芝的參數(shù)[圖片]下圖華潤華晶的參數(shù)。[圖片]

因為應(yīng)用條件特殊，要求為高PF，而且要過CLASSC的諧波測試。（25W以上產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)）就是因為以上要求，所以前級PFC升壓到417V，再由417V變?yōu)?V，所以變壓器匝比會比較小，匝比大的話初級MOS-D的電壓會很高。三明治繞法是我寫錯了，實際繞制是正確的。主要問題是次級尖峰很高，然后反應(yīng)到了輸出電壓上，在輸出電壓上也出現(xiàn)了一個6V的尖峰。順繞我去試試看，但因該影響不大。

是的有點怪，但實測就是這樣。

不好意思，順序?qū)懛戳?，實際是一次側(cè)在最外面的。

所謂國產(chǎn)，不過是做了個封裝吧。當(dāng)然不會寫手冊了，只能照搬。  

Y電容主要是為了EMC，EMC能過的話可以不要。容量大小也是和EMC有關(guān)，但是容量大的話耐壓有可能會過不了，具體要看你的絕緣距離和寄生電容的容量了。

感謝樓主。我公司在設(shè)計電路時也進行部品余量試驗，評價降額比率是否合適。但對于降額的多少一直很難有個標(biāo)準(zhǔn)。樓主的經(jīng)驗非常寶貴。

不知道采購在哪里買的就在用了？你沒有指定廠家么？