chris.yue.vista：
當(dāng)高壓側(cè)電壓緩慢地往上升時(shí)可以清楚地看見(jiàn)毛刺越來(lái)越嚴(yán)重，電壓很低時(shí)管子發(fā)熱嚴(yán)重，芯片很容易燒掉。這些問(wèn)題都是由于2110自身的一些不足產(chǎn)生的，IR2110不能產(chǎn)生負(fù)偏壓，如果用于驅(qū)動(dòng)橋式電路，在半橋電感負(fù)載電路下運(yùn)行，處于關(guān)斷狀態(tài)下的IGBT，由于其反并聯(lián)二極管的恢復(fù)過(guò)程，將承受C-E電壓的急劇上升。此靜態(tài)的dv／dt通常比IGBT關(guān)斷時(shí)的上升率高。由于密勒效應(yīng)，此dv／dt在集電極，柵極問(wèn)電容內(nèi)產(chǎn)生電流，流向柵極驅(qū)動(dòng)電路，如圖3所示。雖然在關(guān)斷狀態(tài)時(shí)柵極電壓Vg為零，由于柵極電路的阻抗(柵極限流電阻Rg，引線電感Lg)，該電流令VGE增加，趨向于VGE(th)。最嚴(yán)重的情況是該電壓達(dá)到閾值電壓，使IGBT導(dǎo)通，導(dǎo)致橋臂短路。IR2110驅(qū)動(dòng)輸出阻抗不夠小，沿柵極的灌人電流會(huì)在驅(qū)動(dòng)電壓上加上比較嚴(yán)重的毛刺干擾。http://www.21ic.com/app/analog/200904/41548.htm