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U盤就算了 硬盤還可以考慮下[圖片]

來(lái)登記個(gè)[圖片][圖片] [圖片] 

兩個(gè)公式好像前后矛盾了  前面占空比用0.45  后面計(jì)算出來(lái)的最大占空比為0.4？？

他是按照磁芯Ae：88來(lái)算的  具體怎算我就不知道了 因?yàn)檫@變壓器空間很小  繞線有限 

是我弄錯(cuò)了  

[圖片] 原來(lái)變壓器已經(jīng)飽和了 加不進(jìn)去了   這也是頭痛的事啊

這是之前工程師弄的     都已經(jīng)跑生產(chǎn)的，現(xiàn)在出問(wèn)題就去找問(wèn)題了   

輸出電壓48V，電流0.56mA,現(xiàn)在用的變壓器原邊電感Lp=850uH,原邊匝數(shù)為43T,副邊為17T。

謝謝，不好意思，原理圖還沒(méi)有更正過(guò)來(lái)PC817第四腳我原理圖弄錯(cuò)了 應(yīng)該是接在R33與R8那里的（那節(jié)點(diǎn)上面那個(gè)電阻））我弄了100PCS在MOS管的GS加15K去老化，在啟動(dòng)瞬間也有二臺(tái)出現(xiàn)炸機(jī)的，然后在老化過(guò)程中的沖級(jí)時(shí)也炸死一臺(tái)，炸機(jī)也把這電阻燒死?，F(xiàn)在我用的是7N80MOS管 而我側(cè)的那Vds電壓在啟動(dòng)瞬間電壓在650V左右。

你好，我在這想請(qǐng)教一個(gè)問(wèn)題：我用L6562D做個(gè)30W的產(chǎn)品，在老化沖級(jí)時(shí)會(huì)炸機(jī)，把MOS管,芯片，檢測(cè)電阻給燒壞。MOS管用到7N80，Vds沖級(jí)最大電壓為580V，現(xiàn)在不知道哪里出問(wèn)題。附上原理圖[圖片] [圖片]