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依據(jù)基爾霍夫電壓定律（KVL）和電容的公式c=q/v,而1A=1q/s，總結(jié)出一個電容降壓輸出電流計算公式:全波：2 Freq ( 2 Sqrt[2] Vin - 2 Vout) Cap說明：2 Freq表示1S內(nèi)有2 Freq次充放電，2 Sqrt[2] Vin - 2 Vout，表示放電電壓的變化量。半波：Freq ( 2 Sqrt[2] Vin - Vout) Cap這個公式的優(yōu)美之一是不關(guān)Pi事,而阻抗計算用到Pi.之二是從因子( 2 Sqrt[2] Vin - 2 Vout)可以看出,電容降壓電路有倍壓能力,即開路輸出可以達(dá)到2 Sqrt[2] Vin,所以千萬不能開路.

[圖片]

很好很強(qiáng)大。。。

在實(shí)際設(shè)計中，每個參數(shù)都是比較重要的，特別是在省電模式下，可能會打開電源后掃描接口電路，因此整個電路的響應(yīng)時間非常重要。以后會討論一下瞬態(tài)響應(yīng)的做法（Laplas變換的應(yīng)用。）在這里大致可以描述一下，因?yàn)槊總€電路都有濾波電容，在打開電源的瞬間，所有的電容都需要充電，因此此時的Ic是非常大的，所以電路一時達(dá)不到飽和狀態(tài)。這個參數(shù)主要是調(diào)整R2，R2增大，響應(yīng)時間長，電路偏置功率小。R2減小，響應(yīng)時間段，電路偏置功率大。做個tradeoff即可。

這樣就可以求得此時三極管的狀態(tài)。另外一個需要驗(yàn)證的就是溫度情況，公式如下：[圖片] 

因此我們必須求取方法倍數(shù)，其中Q1中的Vbatt和Ib和Ic同時是正向關(guān)系，必須求取各個參數(shù)的偏導(dǎo)求最大的放大系數(shù)。[圖片] 

mos的整體功率損耗PQ1包括了傳導(dǎo)損耗（17樓）和開關(guān)損耗（18樓），Ig是柵驅(qū)動電流。Rds（on）應(yīng)該選取在最大工作結(jié)溫下的值，此值一般會在mos的數(shù)據(jù)手冊中能找到。需要確保傳導(dǎo)損耗加上開關(guān)損耗不會超過封裝額定值或整體散熱預(yù)算。

mos的功率損耗PQ1約等于：[圖片] 

流經(jīng)開關(guān)的平均電流（RMS）的計算公式如下：[圖片]