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關于您所說第四點，開關損耗是與開關頻率有關系的，開關頻率越高開關損耗也越大，怎么會把開關速度提高而減小開關損耗呢？

大家說怎樣減少開通損耗呢，軟開通是不是得引入而外的感性元件啊，這樣是不是會產(chǎn)生尖峰電壓了。

IGBT的瞬時電流竟能達到I*1.414=59A，現(xiàn)在終于明白為什么我的60N100總因為過熱而燒毀了！

[圖片] [圖片] 

散熱器很大，就是IGBT開通電壓太高，RC吸收，R為51歐，C為40nf，我實驗時再加大C沒什么明顯效果。[圖片]  上面1通道的波形是CE端加了一個二極管測得的波形，就是當電壓為低的時候，IGBT導通，沒加RC吸收之前有很大的毛刺，加了吸收以后毛刺變小，但是導通壓降達到5-6V，似乎沒有減小。

像這樣的結構，現(xiàn)在的問題IGBT導通時候的管壓降非常高，有5-6V，不知道是為什么。IGBT是60N100，驅動電壓+15V，-5V，門級電阻為15歐，手冊上說當IGBT電流達到60A的時候，管壓降也不過3V，我的電流大小測量可能有點問題，但是絕對超不過這個值，還能有什么原因呢。以前電流是用手持是交流鉗測的，大概諧振電流也就十幾安，但是我按電流互感器換算的電流有四十安，還不知道是什么原因造成的，但是無論怎樣管壓降都不該這么大的，IGBT發(fā)熱嚴重。

還有一事不明，就是功率的問題一直搞不明白，對于半橋結構來說，功率是如何計算的，對于從線圈上測出來的電流，整流后母線的電流只有該電流大小的一半吧，是不是P=U*I/2呢，U為母線電壓有效值，I為諧振電流有效值。相應的資料很少，看別的帖子說的很模糊

恩，是這樣的，很有道理

確實是硬開通的，這是下半橋臂的波形，就是IGBT電壓為低的時候是開通的，電流是下半周期。怎么看出是硬開通的呢，在開通之前的下降斜坡中有一部分是二極管續(xù)流形成的，此時IGBT電壓很低時導通，充電完成電流換向時IGBT已經(jīng)打開了，怎么是硬開通呢，應該是零電壓導通吧

測量點：電壓是下半橋臂IGBT的Vce電壓通過取樣電阻測得的，不是AB兩點，電流是在諧振線圈上加互感器測得的，就是像C那樣。