sysgration_1:
過流擊穿也可以說也是過熱失效,當(dāng)Ic電流過大時(shí),其IGBT的瞬間發(fā)熱(也可以是熱的累加,例如散熱做的不好),而這個(gè)熱量是無法快速散發(fā)出去,造成IGBT結(jié)溫過高,發(fā)生“熱崩”的現(xiàn)象,這時(shí)可能伴隨著IGBTC/E,C/G,G/E都被擊穿的現(xiàn)象,從失效的現(xiàn)象來看,芯片一般是燒毀的一塌糊涂.如果是過壓擊穿,如果電路保護(hù)即時(shí),此時(shí)的IGBT芯片不會(huì)出現(xiàn)大面積的燒毀現(xiàn)象.