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發(fā)一個(gè)恒流源對(duì)電容沖放電的三角波電路，可以得到比較漂亮的波形[圖片]

占空比最好按最低輸入時(shí)取40%來計(jì)算按照此參數(shù)計(jì)算，初級(jí)取4匝，變壓器磁通變化量大致在2400Gs的樣子，這樣相當(dāng)于磁芯從-1200到1200之間變化，30kHZ應(yīng)該沒有問題。若按40%占空比計(jì)算，次級(jí)與初級(jí)匝比應(yīng)該是6.85，只需要28匝就夠了，取到40匝也可以，此時(shí)占空比會(huì)下降27%的樣子，15V輸入時(shí)占空比更低

通常變壓器中需要設(shè)計(jì)一組VCC繞組，用于各種芯片的供電。

這哪里是線性電源，EUP3476是內(nèi)置開關(guān)管的同步整流buck轉(zhuǎn)換器

陶瓷電容用途很廣泛，常見的材質(zhì)有：C0G(NP0)、X7R、X5R、Y5VC0G很穩(wěn)定，溫度穩(wěn)定性很高，是一種很不錯(cuò)的高頻電容，但價(jià)格高，容量難以做大，目前我見過的最大容量是104(0.1uF)x7r/x5r溫度穩(wěn)定性要差些，性能比C0G的要差，適合在高要求的電路中做芯片的去耦電容，目前我見過最大容量是107(100uF)，這個(gè)電容拿來和鋁電解并聯(lián)似乎很不錯(cuò)。Y5V溫度穩(wěn)定性就差了，最多可以變化-85%，同樣可以做大容量，比x7r/x5r便宜。此外，陶瓷電容模擬電路中，會(huì)因壓電效應(yīng)產(chǎn)生比較大的諧波失真，常見的現(xiàn)象就是電容在叫。似乎C0G壓電效應(yīng)很小，這個(gè)在設(shè)計(jì)電路是該如何考慮？

開關(guān)狀態(tài)工作在可變電阻區(qū)，如果是做模擬功放，就需要工作在飽和區(qū)。這些在大學(xué)教材里面說得很清楚

我先談?wù)勛约阂娊猓罕∧る娙荩焊哳l特性好，耗損低，聚苯乙烯優(yōu)于MKP又優(yōu)于MKT，但開關(guān)電源中很難看到，是因?yàn)槠潴w積大和價(jià)格高的原因嗎？我一直認(rèn)為薄膜電容是最好的電容，DIY時(shí)不太計(jì)較成本可以優(yōu)先考慮。陶瓷電容：現(xiàn)在的MLCC已經(jīng)有容量超過百uF的了，具有很低的ESR，貼片封裝的ESL也很低，似乎很適合用在開關(guān)電源的輸出端。鋁電解電容不用說，需要大容量只能選它。固態(tài)電容的性能比鋁電解電容的性能好，用它代替鋁電解電容似乎不錯(cuò)鉭電容性能優(yōu)于鋁電容，但不耐沖擊，用在開關(guān)電源中比較危險(xiǎn)，所以不用

Nr:Np=Dr:Don，通常取Dr+Don=0.8，由此可以確定占空比。Nr50%，初級(jí)電流會(huì)減小，但開關(guān)管將承受比2倍輸入電壓還高的電壓，具體為(1+Np/Nr)倍。Nr>Np時(shí)，占空比

可以N也可以P，buck用P要方便些，用N需要加驅(qū)動(dòng)電路（變壓器或自舉電路）。boost用N方便些，用P也需要變壓器或自舉電路（其實(shí)這時(shí)叫自降電路合適些）但沒見過boost用P的，因?yàn)檫@是增加成本反而使性能下降的做法。但是buck中的PMOS也不是很好用，PMOS需要的驅(qū)動(dòng)信號(hào)是以電源正極為參考的，而通常我們?cè)O(shè)計(jì)電路是以電源負(fù)極為參考，這會(huì)照成參考不一致，如果輸入電壓不超過PMOS柵源耐壓，還好辦。但是如果輸入電壓超過了柵源耐壓，也是個(gè)麻煩事。