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是的。一般人打工都是為了生活吧！社會發(fā)展太快，感覺工資待遇趕不上物價漲幅！現(xiàn)在所謂的研發(fā)也就是為了賺錢研發(fā)的，真正為了技術(shù)而去鉆研恐怕是越來越少了。

都說老板很坑爹，但是也要雇員被坑得心甘情愿！當(dāng)你覺得自己的付出沒有得到應(yīng)有的回報時，這時候是應(yīng)該適當(dāng)?shù)每紤]換份工作了。

你的負載是什么類型的負載？如果是電子負載工作CC模式，應(yīng)該不會出現(xiàn)你說的情況的！如果是電阻做負載，出現(xiàn)你說的情況就可能是電壓升高了，導(dǎo)致輸出電流增大。另外開關(guān)IC有點溫升也是正?，F(xiàn)象的。

你這種問題多半是出現(xiàn)PCB的layout上的。這個IC是內(nèi)置MOS管的，芯片的地線處理不當(dāng)造成，建議上傳的你的PCB圖。之所以帶不了載很可能觸發(fā)了保護動作的。

不明白的你的意思的，現(xiàn)在示波器的采樣頻率都是GHz級別的，難道示波器還看不到？還是你沒有高壓或者隔離探頭？實在不行就通過電阻分壓啊。

我覺得是可行的！現(xiàn)在很多內(nèi)置MOS管的BUCK芯片都是這種思路的，就里面有自舉電路將驅(qū)動升壓。滿足MOS管的Vgs大于10V以上時，如果MOS的損耗還是很大，這就有可能的是芯片的驅(qū)動能力不行了。驗證是不是最大占空比受到限制，你可以增大輸入電壓，減小輸出電壓，再看輸出電壓對不對的。3843直接控制P-MOS也可以，只是邏輯反了下。

你用3843沒有經(jīng)過升壓或者電平轉(zhuǎn)換直接推高端NMOS，MOS管不能完全工作在開關(guān)狀態(tài)，而可能工作在放大區(qū)，這時候MOS管的損耗是很大的。建議將IRF150換成一個PMOS，然后3843通過控制NMOS來實現(xiàn)PMOS開關(guān)。

你的圖二Q1將會一直處于導(dǎo)通狀態(tài)，光耦根本無法起到控制的作用。圖1中R1主要起到一個上拉電阻的作用，所以4.7K、10K或者更大都沒有什么影響。至于R2就比較關(guān)鍵，它的取值你根據(jù)你輸出電流大小結(jié)合三極管的放大倍數(shù)來計算。相對來說取得小一點更容易進入飽和導(dǎo)通狀態(tài)。到Q1導(dǎo)通是R2電阻上的損耗也是你必須考慮的因素。

先弄清楚溫度高的原因，然后再想辦法解決。先檢查下你芯片的驅(qū)動波形是否異常？