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謝謝各位高手的指點(diǎn)差異是有的了,兩個(gè)管的溫度也有一點(diǎn)相差如果MOS加RG電阻應(yīng)該加多大?4.7Ω合適嗎,加大了會(huì)不會(huì)更加不均流用IRF640的話,單管不知能不能取代兩個(gè)管也不知當(dāng)時(shí)為什么會(huì)用并管方式,而不是用更大電流的MOS還請(qǐng)教各位并聯(lián)MOS除了能加大電流,還有沒(méi)有其它的好處

燈管兩端波形現(xiàn)在不完全成正弦波,是正負(fù)尖陡坡,峰值為430V左右而如果調(diào)到剛好電流過(guò)零點(diǎn)時(shí),工作電流卻達(dá)不到2.2A還有NE555用烙鐵焊著一直工作,應(yīng)該溫度差不多也有一兩百度了,工作還是一樣正常,只是頻率降了1KHz這樣,看來(lái)NE555還是很強(qiáng)的

此電路沒(méi)有磁復(fù)位器件開(kāi)關(guān)管關(guān)斷瞬間VDS有一個(gè)120V左右的尖峰再降到2倍多VIN左右，并且波形平臺(tái)成上升形直到下一周期，而不是下降一開(kāi)始懷疑沒(méi)有磁復(fù)位而出現(xiàn)磁飽和試了在初級(jí)并加電容 ，也試了增加RDC測(cè)試VDS波形都沒(méi)有任變化是不是因?yàn)殒?zhèn)流器沒(méi)有整流二極管原因，在Toff時(shí)還是可能釋放能量 

一般高頻變壓器體積比較小時(shí)，為了通過(guò)AC3000V測(cè)試，次級(jí)要用三層絕緣線

因?yàn)閯傞_(kāi)始接觸電子鎮(zhèn)流器，對(duì)這塊不熟，以前只搞過(guò)小功率開(kāi)關(guān)電源此產(chǎn)品是以前工程師留下的，現(xiàn)在改電路周期會(huì)很長(zhǎng)，而且成本還不能加所以還是看能不能查明原因，改推挽也不太在行看此電路像是正激，可參數(shù)好像又有點(diǎn)違背也不太搞懂它是哪類

是沒(méi)注意到NE555工作溫度問(wèn)題回去做做試驗(yàn)加溫試試SE555和NE555應(yīng)該是完全通用的吧，SE555 -55~125度

能給點(diǎn)意見(jiàn)嗎

有DC12V T8/30W的圖嗎

UF630L   200V 9A

MOS耐壓200V 9A