gds_01：
EMI開關(guān)電源EMI產(chǎn)生及EMC對策涉及太多因素.從本質(zhì)上講都是電壓變化(dv/dt)電流變化(di/dt)引起的.其中傳導(dǎo)干擾是由于變壓器初次級繞組間分布電容將初級繞組對大地的電壓變化(dv/dt)藕合到次級繞組使輸出端呈現(xiàn)出對大地的噪音電壓.輻射干擾則是電壓變化(dv/dt)電流變化(di/dt)引起的電磁場輻射.針對你的具體問題建議在Bridge2個(gè)AC端與高壓電容負(fù)級(當(dāng)Y1電容接點(diǎn)在高壓電容負(fù)級時(shí))加2個(gè)2.2nF1KV瓷片電容,傳導(dǎo)應(yīng)當(dāng)可以了.你看一下開關(guān)管漏級電壓波形,上升沿不能太陡,上升時(shí)間調(diào)整到130nS左右,EMC容易做.另外可用磁珠吸收及屏蔽措施.再有當(dāng)元件及PCB一定的情況下變壓器對EMC至關(guān)重要.