wangchuangwccc:
功率越大,MOS管流過的電流越大,那么開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗越大,這就導(dǎo)致MOS管發(fā)燙嚴(yán)重,超過了設(shè)計要求,比如說常溫老化,MOS溫度都130度以上了,那么我們就需要MOS更低的RDSON,或者更好的散熱,因為結(jié)構(gòu)和體積的問題,更大的散熱片或者更好的散熱方式,不一定能實現(xiàn)。那么我們只能用更低的RDSON的MOS,但是更大的MOS,結(jié)電容也越大,那么IC如果驅(qū)不動,你換更大的MOS也沒用,MOS管都不能正常打開和關(guān)閉,損耗反而更大。這么說理解嗎,我自己都感覺我自己有點啰嗦