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使用軟開關(guān)技術(shù)使開關(guān)管在零電壓、零電流時(shí)進(jìn)行開關(guān)轉(zhuǎn)換可以有效地抑制電磁干擾

應(yīng)將Y電容直接放置在初級(jí)輸入濾波電容正極和變壓器次級(jí)的共地接腳之間

一種是以輸出電流分?jǐn)?，一種是以輸出功率分?jǐn)?，平均分?jǐn)偸墙^對(duì)的誤導(dǎo)

加氣隙拉扁磁滯回線可以讓磁芯的飽和H值大一些，自然就會(huì)提高存儲(chǔ)能量的能力

DCM模式下仍然有電流尖峰，只是沒有CCM模式下那么大而已

傳導(dǎo)干擾還是在輸入端幾件的比較好，避免后級(jí)電路的放大帶來更壞的影響

低壓端MOSFET就有非常低的COSS電容，因此可以在不損害性能的前提下進(jìn)行硬開關(guān)

反壓尖峰發(fā)生時(shí)刻與原邊尖峰電壓發(fā)生時(shí)刻無關(guān)，與二極管續(xù)流結(jié)束時(shí)刻無關(guān)

主轉(zhuǎn)換器以固定頻率采用66kHz模式時(shí)，正好是待機(jī)控制器工作頻率的一半

初級(jí)側(cè)恢復(fù)工作后，將默認(rèn)進(jìn)入啟動(dòng)狀態(tài)，并嘗試檢測(cè)來自次級(jí)側(cè)的握手脈沖