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暫無內(nèi)容
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逆變器12V輸入電壓并一個(gè)或多個(gè)反接二極管SR560,這個(gè)二極管起什么作用
elecqht
最新回復(fù):2017-08-25 13:15
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直流母線電壓多少合適
elecqht
最新回復(fù):2017-06-23 19:54
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負(fù)載轉(zhuǎn)空載燒MOS管
elecqht
最新回復(fù):2016-11-11 23:07
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elecqht:
現(xiàn)在的逆變器基本都有MOS做防反接,這樣反接也不會(huì)燒保險(xiǎn),如果有這二極管反接時(shí)還會(huì)燒保險(xiǎn),似乎不夠理想另外我看見不少有防反接MOS的電路圖也有這個(gè)二極管,那這個(gè)二極管是不是就多余了?我個(gè)人理解:如果考慮MOS的Coss,這個(gè)二極管和這電容是跟變壓器的前級(jí)線圈串聯(lián),似乎可以形成一個(gè)放電回路,達(dá)到降低尖峰的作用另外在本論壇好像有個(gè)帖子提到過這二極管好像可以保護(hù)輸入電容防止燒腳的作用,不知道這說法對(duì)不對(duì)
2017-08-25 13:15 回復(fù)
原帖:逆變器12V輸入電壓并一個(gè)或多個(gè)反接二極管SR560,這個(gè)二極管起什么作用
elecqht:
是不是我看錯(cuò)了,10KW單變壓器?
2017-08-22 00:24 回復(fù)
原帖:逆變用單變壓器與多變壓器哪個(gè)方案好
elecqht:
說錯(cuò),R33不是多余的,是S1復(fù)位時(shí)限流用
2017-07-23 09:53 回復(fù)
原帖:比較器電阻旁邊為何要加一個(gè)二極管
elecqht:
這就是一個(gè)自鎖電路,樓上有人說是單邊遲滯,當(dāng)然也沒錯(cuò)的。自鎖其實(shí)也可以算是單邊遲滯極端方式。注意看這幾個(gè)電阻的參數(shù),一旦7腳輸出高電平了,左下角的51K的電阻的輸入電壓低至0V(負(fù)壓除外)也一樣不能復(fù)位,只能依靠S1進(jìn)行復(fù)位,而這又恰好有個(gè)S1,所以自鎖電路無疑,只是這么設(shè)計(jì)有點(diǎn)多此一舉,去掉R33更合理。
2017-07-23 00:12 回復(fù)
原帖:比較器電阻旁邊為何要加一個(gè)二極管
elecqht:
謝謝,請(qǐng)問下你們做的逆變器是修正弦的嗎,輸入電壓是多少呢
2017-06-13 10:48 回復(fù)
原帖:直流母線電壓多少合適
elecqht:
這兩項(xiàng)參數(shù)是否又跟輸入電壓有一定的關(guān)聯(lián),比如12V輸入和60V輸入的逆變器
2017-06-06 10:20 回復(fù)
原帖:直流母線電壓多少合適
elecqht:
[圖片] 前級(jí)頻率降至22K左右,空載時(shí)的DS波形,尖峰高得嚇人。嘗試過調(diào)大調(diào)小死區(qū)時(shí)間都無法改善尖峰的問題
2016-11-08 10:45 回復(fù)
原帖:負(fù)載轉(zhuǎn)空載燒MOS管
elecqht:
4個(gè)3205頂足量的800W確實(shí)夠嗆(我現(xiàn)在負(fù)載800W因?yàn)檩敵鲭妷旱?,?shí)際只有680W左右),手上還有4004、4504這樣強(qiáng)勁的MOS,做高功率在MOS方面應(yīng)該是沒問題的。另外我用的是2個(gè)EI40變壓器,一個(gè)EI40頂800W打死也做不到?。?2V輸入)。現(xiàn)在的問題倒不是因?yàn)閹Ц吖β守?fù)載才導(dǎo)致尖峰的,而是我為了想帶更高的負(fù)載采取降頻率的方式,結(jié)果降頻率后空載也會(huì)有尖峰。如果說是磁飽和了,是不是只能換磁芯或者維持之前的頻率?
2016-11-08 09:18 回復(fù)
原帖:負(fù)載轉(zhuǎn)空載燒MOS管
elecqht:
[圖片] 類似于這樣的,時(shí)間越久尖峰越高
2016-11-07 19:02 回復(fù)
原帖:負(fù)載轉(zhuǎn)空載燒MOS管
elecqht:
之前懷疑過是變壓器的工藝問題,也更換過變壓器依然沒有改善,另外,用40K前級(jí)頻率的時(shí)候沒尖峰,應(yīng)該可以排除是變壓器工藝問題,現(xiàn)在如何解決既降低前級(jí)頻率又不會(huì)產(chǎn)生尖峰這個(gè)矛盾呢?
2016-11-07 18:51 回復(fù)
原帖:負(fù)載轉(zhuǎn)空載燒MOS管
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