kuamax123：
尊敬的主辦方：首先，很感謝有這樣的活動(dòng)可以諸多愛好者更多的去了解熟悉SiCMOSFET的發(fā)展以及在實(shí)際工業(yè)應(yīng)用中的現(xiàn)狀。本人剛博士畢業(yè)半年，現(xiàn)為高校教師，從事電力電子系統(tǒng)狀態(tài)監(jiān)測(cè)與故障診斷相關(guān)研究，前期主要針對(duì)SiMOSFET以及IGBT開展了大量相關(guān)的器件特性分析、可靠性評(píng)估、在線狀態(tài)監(jiān)測(cè)等研究，積累了豐富的相關(guān)理論和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)。SiCMOSFET目前已在電動(dòng)汽車、光伏發(fā)電系統(tǒng)等領(lǐng)域得到大量關(guān)注，羅姆公司一直處于半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先地位，本人現(xiàn)階段主要在開展SiCMOSFET并網(wǎng)逆變器健康狀態(tài)監(jiān)測(cè)研究，重點(diǎn)是SiCMOSFET的特性分析與參數(shù)監(jiān)測(cè)，這也是本人想申請(qǐng)?jiān)撛u(píng)估板的原因之一，也希望借此取得的相關(guān)研究或分析結(jié)果可以進(jìn)一步促進(jìn)新型半導(dǎo)體功率器件的發(fā)展。我的申請(qǐng)理由如下：（1）實(shí)驗(yàn)室具備相關(guān)的泰克示波器（帶PWR模塊可在線監(jiān)測(cè)導(dǎo)通電阻）、電子負(fù)載等儀器，分析SiCMOSFET在特定工況下器件的開關(guān)特性與損耗，以及驅(qū)動(dòng)電路的相關(guān)設(shè)計(jì)方案；（2）實(shí)驗(yàn)室具備高溫箱等環(huán)境實(shí)驗(yàn)設(shè)備，分析高溫環(huán)境下，SiCMOSFET相關(guān)參數(shù)的變化特性，如Vth,Rdson等。（3）基于實(shí)驗(yàn)室具備的FPGA+DSP開發(fā)板，試圖開發(fā)一種可在線原位監(jiān)測(cè)SiCMOSFET健康參數(shù)的測(cè)試平臺(tái)，以便后續(xù)為光伏逆變器的PHM（故障預(yù)測(cè)與健康管理）奠定基礎(chǔ)。我的試用規(guī)劃如下：（1）測(cè)試SiCMOSFET評(píng)估版在室溫條件下的開關(guān)特性，并與傳統(tǒng)IGBT進(jìn)行對(duì)比，通過(guò)改變工況條件，分析開關(guān)管導(dǎo)通與斷開階段，器件振鈴效應(yīng)、拖尾電流現(xiàn)象以及功率損耗；（2）將評(píng)估板相關(guān)測(cè)試點(diǎn)引出至高溫箱外部（便于測(cè)試用），在不同溫度工作環(huán)境下，測(cè)試評(píng)估板的相關(guān)特性參數(shù)以及SiCMOSFET特征參數(shù)Vth,Rdson的變化趨勢(shì)，從而間接反映開關(guān)管的溫度特性及損耗。（3）通過(guò)功率循環(huán)測(cè)試實(shí)驗(yàn)，加速SiCMOSFET退化，分析可表征該器件健康狀態(tài)的特征參數(shù)，基于實(shí)驗(yàn)室已有開發(fā)平臺(tái)，設(shè)計(jì)一種可在線監(jiān)測(cè)該器件參數(shù)的測(cè)試電路/平臺(tái)，為后續(xù)光伏發(fā)電系統(tǒng)PHM提供技術(shù)保障。 最后，感謝主辦方、感謝電源網(wǎng)等支持該活動(dòng)的有心人，希望有幸可以學(xué)習(xí)、研究羅姆SiCMOSFET評(píng)估板。