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對于5V這類低壓的電源要使系統(tǒng)效率達到75%，這就要求設(shè)計調(diào)試時要盡可能減小開關(guān)部分的損耗。

較低的VOR還意味著初級側(cè)MOSFET上的漏極到源極電壓較低，可以降低開關(guān)損耗。

具有小尺寸和高效率的特點，因此無需對LED驅(qū)動器使用散熱或灌封處理，從而可降低制造成本。

另外需要足夠的銅應(yīng)在散熱二極管。在安靜的陰極上最好有更大的面積。較大的陽極面積可以增加高頻輻射EMI。

是的，利用TL431型可調(diào)式精密并聯(lián)穩(wěn)壓器構(gòu)成次級誤差電壓放大器，再通過光耦合器對主輸出進行精確地調(diào)整。

通過調(diào)整RC充電時間和維持電流，可以確保可控硅在導(dǎo)通后能夠穩(wěn)定工作，避免因電流不足而自行關(guān)斷。

為改善這種情況，采用的先進的狀態(tài)控制器可以防止電源工作于7至12kHz的開關(guān)頻率下。

集成了750V氮化鎵（GaN）開關(guān)，這可以降低電流流動期間的傳導(dǎo)損耗。

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由于ESR導(dǎo)致的發(fā)熱，會加快電解電容報廢，所以開關(guān)電源隨著時間的推移，紋波電壓會越來越大。