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一般同廠家的同系列的MOS管，耐壓一樣，內(nèi)阻越小芯片尺寸越大，抗雪崩能力越強(qiáng)。1.1歐姆的打雷擊可以過(guò)可能是芯片尺寸較大這個(gè)原因。而實(shí)際工作時(shí)1.1歐會(huì)炸機(jī)，可能是內(nèi)阻低，QG就高了，導(dǎo)致開(kāi)關(guān)損耗大，發(fā)熱大，最后過(guò)熱炸機(jī)。我是做MOS的。 希望能幫到你。

可以，分析到位！

是的 CV4.75V 沒(méi)問(wèn)題

也是 已經(jīng)跑了一天了  沒(méi)事哦 [圖片]

之前輸出濾波電感是6.8uH

昨天大著膽子跑了一天沒(méi)事。 不過(guò)就是紋波比較大，有1.3V多 Vpp 調(diào)整了輸出濾波電感到30uH后紋波在300mV左右發(fā)現(xiàn)輸出紋波小的話 輸出電壓要小一點(diǎn)的 我用的是帶線損補(bǔ)償3%的IC不知道高手還有什么辦法能進(jìn)一步減小紋波呢

初級(jí)電感值用的2mH的

5分鐘就從帶載5.26 升到了5.305V了 還在繼續(xù)升 會(huì)不會(huì)有問(wèn)題呢

PCB設(shè)計(jì)文件：ZH-5V1A-V1.0.rar 格式為Protel99SE 忘各位大俠指教

變壓器繞制方法變壓器規(guī)格.doc