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你這樣的畫(huà)法,會(huì)讓人看不出所以然,改個(gè)方式畫(huà)法如下:[圖片]兩顆MOS為串聯(lián)而連接到P-與電池負(fù)(BAT-)端,注意MOS的bodydiode極性當(dāng)充電電壓從P+,P-進(jìn)入時(shí),CO(Chargeoutput)送出High,MOS打開(kāi),另一顆順向MOS再打開(kāi),若有過(guò)流從RS偵測(cè)到,則關(guān)閉CoMos當(dāng)P+,P-沒(méi)電,此時(shí)電池端是給電的,則Do(dis-Chargroutput)Mos開(kāi),背接二極體順向,MOS再打開(kāi),當(dāng)RS偵測(cè)到輸出過(guò)電流後,Do將關(guān)閉所以這是在控制電池充放電用的

曾幾何時(shí)技術(shù)領(lǐng)域變的如此殘酷,真令人匪夷所思這電路有三個(gè)部份1.Q12為防反接電路,利用MOSFET本身BodyDiode達(dá)成當(dāng)電源極性正確時(shí)導(dǎo)通,極性反接時(shí)不導(dǎo)通來(lái)達(dá)成而B(niǎo)odyDiode因?yàn)榇饔幸粋€(gè)壓差,&nbsp;所以導(dǎo)通MOSFET短路二極體,以減少損耗2.Q4為InrushCurrent控制電路,當(dāng)t<0時(shí),&nbsp;儲(chǔ)能電容&nbsp;Co=0此時(shí)當(dāng)電源接入後InrushCurrent=Vin/(RT1+RT2)當(dāng)t>0後,導(dǎo)通MOSFET來(lái)短路RT1與RT2,以減少損耗3.Q3稱(chēng)為CurrentShare電路,當(dāng)兩組電源同時(shí)接入後,則因?yàn)閮山M電壓不可能一致,因此後端負(fù)載抽取電流時(shí),一定會(huì)從電壓較高的那一組抽取,此時(shí)兩組電流會(huì)不平衡,因此必須透過(guò)CurrentShare電路來(lái)平衡時(shí)序有空再傳上來(lái)解說(shuō)

062輸入是JFET結(jié)構(gòu),070輸入是CMOS結(jié)構(gòu),這種OP對(duì)於輸入阻抗與輸出導(dǎo)納是不一樣的........且輸入Offset也不一樣

這本來(lái)就是輸入交流,輸出直流........這是給A/D讀取交流用....

[圖片]就這原因..................

[圖片]這是因?yàn)橄到y(tǒng)讀取AC電壓或電流必須有基準(zhǔn)地的關(guān)係如果你原本就是隔離式,那麼把副邊地與N連接是沒(méi)問(wèn)題的,唯一是有EMI要求要重新測(cè)如果你用的是非隔離式,那麼AC端不可以用橋式整流,只能用半週整流,整流位置在L,然後N直接連接,否則橋堆會(huì)爆......

[圖片]這是原理圖,你自己刪減.....1).Port1產(chǎn)生一個(gè)方波,初始值,當(dāng)Q1_ON,則D1對(duì)C1充電,當(dāng)Q1_Off時(shí),C1則透過(guò)R3,D2轉(zhuǎn)移到C22).輸入60V,所以Q1,Q5必須選擇100V耐壓,Q2,Q3不變3).Q1_On週期寬度可以控制C1充電電壓高低，R3則是控制C1能量轉(zhuǎn)移到C2做為限電流用4).Q3,R4,Q5為加速M(fèi)OS_OFF用,理論上可以利用Port產(chǎn)生方波後電壓自舉控制MOS_ON,當(dāng)沒(méi)電實(shí)例用電阻使MOS_OFF即可,但這與&nbsp;&nbsp;&nbsp;MOS_Ciss有關(guān),你可以適度改變或刪除,以節(jié)省空間....

CoolMosFET是一種克服傳統(tǒng)的MOS,傳統(tǒng)VDS越高則ID越小,若ID越大RDSon越小但Ciss越大所以,以往使用上,選擇高壓MOS以600V而言,必須要求ID越大,RDSon越小,但Ciss也要求很小,&nbsp;這時(shí)包裝上必須用到TO-3P或TO-247才可以===================================================================================早期MOS製程,稱(chēng)為Plannar製程,它特性是頻率不高,穩(wěn)定度較好,唯一缺點(diǎn)是RDSon不高,體積也較大多年前,英飛凌用新製程改善MOS高壓ID不高的特性,以稱(chēng)為T(mén)rench製程來(lái)改善,用同樣規(guī)格且更低的RDSon包入TO-220花架上,這就是俗稱(chēng)的CoolMos當(dāng)專(zhuān)利期過(guò)後,市面上就出現(xiàn)很多以Trench製程的MOSFET,同樣To-220包裝,而ID越做越大,RDSon是越做越小Trench製程是在get層以V溝方式埋入,相較於Plannar以平面埋入方式讓P與N間越接近,get面積越小減少Ciss,相對(duì)降低RDSon但Trench並不是萬(wàn)能,雖然操作頻率可以提高,但早期英飛凌C系列中,在使用上必須於D腳串入磁珠,否則一上電就爆,因?yàn)樗俣忍炝薚rench主要缺點(diǎn)就是電壓耐衝擊性較為不足,因此又有新一代的改進(jìn)方式,目的是提高耐電壓衝擊性,以確保使用上的穩(wěn)定度這種我們稱(chēng)為SuperJunction..........&nbsp;&nbsp;

這問(wèn)題,之前有做詳述,可能你沒(méi)看到,在此贅述一次:PD由於變化電壓基礎(chǔ)為5V,經(jīng)過(guò)系統(tǒng)溝通後可變?yōu)?V,15V,20V但是,當(dāng)Connect拔出後,對(duì)於電源端等於是空載,因此當(dāng)電壓升為20V對(duì)筆電充電後突然拔出,此時(shí)由於空載所以Connect必然帶20V電壓,此時(shí)Connect插入手機(jī)時(shí)則20V會(huì)灌入手機(jī),此時(shí)手機(jī)必?zé)?.....所以規(guī)範(fàn)內(nèi)必須有開(kāi)關(guān):當(dāng)Connect拔出後,失去溝通,開(kāi)關(guān)必須馬上關(guān)閉輸出洩放電阻:假如於開(kāi)關(guān)前後都裝有電容,則開(kāi)關(guān)關(guān)閉後,必須對(duì)Connect末端做洩放,把電容電壓放掉而這些功能大多做在辨識(shí)IC內(nèi),作為插拔測(cè)試規(guī)範(fàn)至於使用P-MOS或N-MOS主因是P-MOS為L(zhǎng)owActive,對(duì)於辨識(shí)IC而言,驅(qū)動(dòng)很方便,但是P-MOS要做到低RDSon會(huì)較貴,且是兩顆串聯(lián)如果使用N-MOS,則辨識(shí)IC必須有自舉電路,但是對(duì)於N-MOS而言,RDSon可以做到極低,且價(jià)錢(qián)很便宜所以用P-MOS則MOS貴,辨識(shí)IC便宜用N-MOS則MOS便宜,辨識(shí)IC貴

參考這看看[圖片]這原本是給車(chē)燈用的,大車(chē)或小車(chē),大車(chē)為24Vin,小車(chē)為12Vin,工程師很懶,用一組燈板共用一片驅(qū)動(dòng)板,所以才會(huì)有這電路出來(lái)....LED電壓從輸出回到輸入,所以最大電壓為Vin+Vled,可以升壓可以降壓,最大效率約93%最低效率為91.5%電流調(diào)整從RCS與RCS1,Ref為100mV,所以Iled=100mV/(RCS//RCS1)