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暫無內(nèi)容
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OCP時最大磁通密度超過了有什么危害,使用的是SF1565SGT芯片
mdereck
最新回復(fù):2017-05-02 08:36
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變壓器隔離MOSFET驅(qū)動電路參數(shù)如何配置?
mdereck
最新回復(fù):2017-04-12 09:51
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mdereck:
大神,我用了200pF的電容,得出的波形和16帖的一樣的,能不能幫我解釋下是什么原因呢?(PS;一簇一簇會不會是本身MOSFET通斷造成的,或是我驅(qū)動MOSFET的變壓器有問題)
2017-05-02 08:36 回復(fù)
原帖:OCP時最大磁通密度超過了有什么危害,使用的是SF1565SGT芯片
mdereck:
把0.1換成加個0.01電容后,CS腳電壓如下圖(單個放大后):[圖片]
2017-04-25 10:49 回復(fù)
原帖:OCP時最大磁通密度超過了有什么危害,使用的是SF1565SGT芯片
mdereck:
加個0.1的濾波電容,接CS和VGND,CS點電壓濾波器圖形為:[圖片]
2017-04-25 10:38 回復(fù)
原帖:OCP時最大磁通密度超過了有什么危害,使用的是SF1565SGT芯片
mdereck:
20MHZ波形如下,還是一簇一簇的[圖片]
2017-04-25 09:55 回復(fù)
原帖:OCP時最大磁通密度超過了有什么危害,使用的是SF1565SGT芯片
mdereck:
大神,恕我小白...我覺得一簇一簇的不是因為MOS管通斷通斷導(dǎo)致的么,還有我那個RC電路,電容沒加上去,會不會有影響
2017-04-25 09:52 回復(fù)
原帖:OCP時最大磁通密度超過了有什么危害,使用的是SF1565SGT芯片
mdereck:
大神,CS腳電壓對地波形是這樣的,然后您說的那個對CS腳的電阻是哪個?如圖:[圖片]
2017-04-25 09:08 回復(fù)
原帖:OCP時最大磁通密度超過了有什么危害,使用的是SF1565SGT芯片
mdereck:
我官方計算輔助工具算出來都0.7多了.....不過官方那個典型電路才一個MOS,而我用了的是變壓器驅(qū)動兩個MOS管,不知道是不是不一樣[圖片],好迷茫
2017-04-24 10:38 回復(fù)
原帖:OCP時最大磁通密度超過了有什么危害,使用的是SF1565SGT芯片
mdereck:
測R32兩端電壓波形如下:[圖片]
2017-04-24 09:49 回復(fù)
原帖:OCP時最大磁通密度超過了有什么危害,使用的是SF1565SGT芯片
mdereck:
[圖片]大神,是測量R32兩端電壓么?
2017-04-24 09:35 回復(fù)
原帖:OCP時最大磁通密度超過了有什么危害,使用的是SF1565SGT芯片
mdereck:
謝謝大牛解答,不過我測出來數(shù)據(jù)如下:電流是單位是什么,我的參數(shù):Ip,5.5 微安(用萬用表串進去測試)Lp,4.962mHAe:86平方毫米Np:54PS:用示波器測量CS電阻兩端的電壓,測不出來,而且有很多雜波,尖峰
2017-04-24 09:17 回復(fù)
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