annd:
我不是來拍磚更不是來攪局的,也沒有認(rèn)真考慮,對(duì)不對(duì)供你參考: 一來現(xiàn)實(shí)中電阻是有寄生電感的,這會(huì)導(dǎo)致MOS管開通時(shí)越過門檻電壓的時(shí)間變長(zhǎng),增加功耗,也就是說這里使用有源器件是不是要多考慮考慮;二則一旦短路,晶體管可能是飽和到放大來回折騰,最終會(huì)穩(wěn)定在線性放大狀態(tài),也就說MOS管的驅(qū)動(dòng)電壓會(huì)穩(wěn)在門檻電壓上,DS的電壓就是電源電壓刨去電阻電壓,MOS管工作在大電流高電壓狀態(tài)下,我的理解不要用晶體管去拉MOS驅(qū)動(dòng),應(yīng)該送到相關(guān)電路快速切斷MOS驅(qū)動(dòng),或鎖掉或帶斯密特回差,我比較認(rèn)同第二張圖。