proKun:
請(qǐng)問(wèn)Chang的SiCMOS在頻率沒(méi)上M的情況下能不能不加負(fù)壓?以及驅(qū)動(dòng)方案應(yīng)該怎么選擇?我們現(xiàn)在的方案直接就是一個(gè)驅(qū)動(dòng)IC出來(lái)驅(qū)動(dòng)信號(hào)經(jīng)一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻送到G級(jí),然后GS間并個(gè)電容??梢缘脑挶M量不希望用負(fù)壓驅(qū)動(dòng),因?yàn)镾iC管子GS間反向耐壓很低,加個(gè)負(fù)壓再一振很容易GS反向擊穿