ankeseng：
驅(qū)動(dòng)芯片1EDF5673K、1EDF5673F和1EDS5663H，其不同于傳統(tǒng)功率MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)IC，這個(gè)針對(duì)英飛凌CoolGaN?量身定制的柵極驅(qū)動(dòng)IC可提供負(fù)輸出電壓，以快速關(guān)斷氮化鎵開(kāi)關(guān)。在開(kāi)關(guān)應(yīng)處于關(guān)閉狀態(tài)的整個(gè)持續(xù)時(shí)間內(nèi)，GaNEiceDRIVERIC可以使柵極電壓首先跳到負(fù)電壓，這可保護(hù)氮化鎵開(kāi)關(guān)不受噪音導(dǎo)致誤接通的影響，之后柵極電壓穩(wěn)定保持為零。這對(duì)于開(kāi)關(guān)電源實(shí)現(xiàn)強(qiáng)健運(yùn)行至關(guān)重要。氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)IC可實(shí)現(xiàn)恒定的GaNHEMT開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換速率，幾乎不受工作循環(huán)或開(kāi)關(guān)速度影響。這可確保運(yùn)行穩(wěn)健性和很高能效，大大縮短研發(fā)周期。它集成了電隔離，可在硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)強(qiáng)健運(yùn)行。它還可在開(kāi)關(guān)電源的一次側(cè)和二次側(cè)之間提供保護(hù)，并可根據(jù)需要在功率級(jí)與邏輯級(jí)之間提供保護(hù)。更符合設(shè)計(jì)及搭配輸出，更方便的輸出設(shè)計(jì)，不錯(cuò)。值得學(xué)習(xí)。