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暫無(wú)內(nèi)容

PD 20W 氮化鎵新出來(lái)的高性?xún)r(jià)比手機(jī)充電器方案

XC86六級(jí)

最新回復(fù)：2023-04-03 10:16

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1

20W 氮化鎵高性?xún)r(jià)比PD手機(jī)充電器方案超高性?xún)r(jià)比（替代之前5V1A市場(chǎng)）

XC86六級(jí)

最新回復(fù)：2023-04-10 13:45

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1

LED驅(qū)動(dòng)IC 內(nèi)置MOS 隔離高PF 30W 40W 45W 50W 士蘭微SD689X 系列SD6896AH SD6897AH SD6898AH SD6899AH

XC86六級(jí)

最新回復(fù)：2023-04-14 10:54

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1

30w 12v3a 士蘭微SD8666QS 內(nèi)包MOS 副邊六級(jí)能效方案

XC86六級(jí)

最新回復(fù)：2023-04-14 10:53

3430

33

1

XC86六級(jí)：

#回復(fù)內(nèi)容已被刪除#

2023-04-14 10:54 回復(fù)

原帖：LED驅(qū)動(dòng)IC 內(nèi)置MOS 隔離高PF 30W 40W 45W 50W 士蘭微SD689X 系列SD6896AH SD6897AH SD6898AH SD6899AH

XC86六級(jí)：

SDH8633DIP-712W內(nèi)置MOS副邊IC內(nèi)部啟動(dòng) 六級(jí)能效主推型號(hào)SDH8634DIP-718W內(nèi)置MOS副邊IC內(nèi)部啟動(dòng) 六級(jí)能效主推型號(hào)SDH8635DIP-724W內(nèi)置MOS副邊IC內(nèi)部啟動(dòng) 六級(jí)能效主推型號(hào)SDH8635-SDH8634-SDH8635腳位都是PIN-PIN的，功率分檔。 SDH8665QDIP-824WQR模式 內(nèi)置MOS副邊IC內(nèi)部啟動(dòng)六級(jí)能效主推型號(hào)SDH8666QESOP-5 36WQR模式  IC內(nèi)部啟動(dòng)SD8666QSESOP-5 36WQR模式   六級(jí)能效主推型號(hào)

2023-04-14 10:53 回復(fù)

原帖：30w 12v3a 士蘭微SD8666QS 內(nèi)包MOS 副邊六級(jí)能效方案

XC86六級(jí)：

取代以前市場(chǎng)的5V1A

2023-04-10 13:45 回復(fù)

原帖：20W 氮化鎵高性?xún)r(jià)比PD手機(jī)充電器方案超高性?xún)r(jià)比（替代之前5V1A市場(chǎng)）

XC86六級(jí)：

Q：172743452

2023-04-03 10:17 回復(fù)

原帖：20W 氮化鎵高性?xún)r(jià)比PD手機(jī)充電器方案超高性?xún)r(jià)比（替代之前5V1A市場(chǎng)）

XC86六級(jí)：

市場(chǎng)主打，替代之前5V1A

2023-04-03 10:16 回復(fù)

原帖：PD 20W 氮化鎵新出來(lái)的高性?xún)r(jià)比手機(jī)充電器方案

XC86六級(jí)：

Q:172743452

2023-03-31 11:10 回復(fù)

原帖：PD 20W 氮化鎵新出來(lái)的高性?xún)r(jià)比手機(jī)充電器方案

XC86六級(jí)：

這個(gè)氮化鎵方案比普通MOS方案性?xún)r(jià)比還高，市場(chǎng)主力推薦。

2023-03-31 09:48 回復(fù)

原帖：PD 20W 氮化鎵新出來(lái)的高性?xún)r(jià)比手機(jī)充電器方案

XC86六級(jí)：

頂起來(lái)

2023-03-30 14:32 回復(fù)

原帖：PD 20W 氮化鎵新出來(lái)的高性?xún)r(jià)比手機(jī)充電器方案

XC86六級(jí)：

很不錯(cuò)，性?xún)r(jià)比高。

2023-03-30 09:05 回復(fù)

原帖：PD 20W 氮化鎵新出來(lái)的高性?xún)r(jià)比手機(jī)充電器方案

XC86六級(jí)：

DING

2023-03-29 09:00 回復(fù)

原帖：30w 12v3a 士蘭微SD8666QS 內(nèi)包MOS 副邊六級(jí)能效方案

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