love電源：
我以我的經(jīng)驗（做到的實驗來回答）：1、一般反射電壓設(shè)在45V時，效率最高。反射電壓如果做到這么低，匝比會很小。Dmax也會變化。一般設(shè)計Vor不高于135V（單片開關(guān)電源）170V（分立電源）。 2、將開關(guān)頻率F降低到37.5KHZ,計算得出NP=118T，NS=19T。此種設(shè)計是否合理？降低開關(guān)頻率，會使變壓器的溫度上升。而MOS管的溫度下降。只要溫度低于95度。能長時間正常工作。就可以。呵。是這樣的。此處的溫度95度是指的MOSFET和變壓器磁芯和線包溫度？這個要看環(huán)境溫度，而且磁芯和線包外面測量與內(nèi)部溫度還有熱阻影響。3、初次級匝數(shù)同比例升高為：NP=120T，NS=20T。此種設(shè)計是否合理？這個主要是繞不下。而且效率不見得提升反降了。因為銅損增加了。如果繞的下，同時也不考慮損耗的情況下，是否可行呢？