ISL81807直接驱动EPC氮化镓场效应晶体管，實現设计简单、元件数量少和低成本的解决方案。 宜普公司首席执行官Alex Lidow说："瑞萨電子的控制器IC讓工程師更容易使用氮化鎵器件。

ICeGaN HEMT與IGBT的並聯組合實現了高效率與低成本的雙重優勢 無晶圓廠環保科技半導體公司Cambridge GaN Devices (CGD)專注於開發高能效氮化鎵（GaN）功率器件，致力於簡化綠色電子產品的設計和實施。

如今，越来越多的设计者在各种应用中使用基于氮化镓的反激式AC/DC电源。氮化镓之所以很重要，是由于其有助于提高功率晶体管的效率，从而减小电源尺寸，降低工作温度。

另外，氮化镓器件可以在1~110GHz范围的高频波段应用，这覆盖了移动通信、无线网络、点到点和点到多点微波通信、雷达应用等波段。 近年来，以GaN为代表的Ⅲ族氮化物因在光电子领域和微波器件方面的应用前景而受到广泛的关注。

最近氮化镓（GAN）这个词出现的频率非常高，很多人误以为这是一种新型的技术？no，no今天小编就和大家一起来探索一下氮化镓（GAN)。 氮化镓（GAN)是什么？ 氮化镓（GAN）是第三代半导体材料的典型代表，在T=300K时为，是半导体照明中发光二极管的核心组成部份。

新器件采用公司专有的PowiGaN™技术制造而成，是业界首款1700V氮化镓开关IC。1700V额定耐压进一步提升了氮化镓功率器件的先进水平，此前的业界首创产品是Power Integrations于2023年推出的900V和1250V器件。

未来已来，氮化镓的社会经济价值加速到来。 本文介绍了镓未来和纳芯微在氮化镓方面的技术合作方案。

【2023 年 10 月 25 日，德国慕尼黑和加拿大渥太华讯】英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）今日宣布完成收购氮化镓系统公司（GaN Systems，以下同）。

英飞凌预测，到2027年，氮化镓芯片市场将以每年56%的速度增长。 英飞凌为何选择氮化镓？ 氮化镓有着广泛的应用前景，除英飞凌外，还有许多公司在氮化镓上压下重注，宽带隙半导体或将成为市场的主要增长动力。让这些企业看好的氮化镓，确实有自己独特的优势。

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）携氮化镓（GaN）解决方案CoolGaN™ 600 V增强型HEMT和氮化镓开关管专用驱动IC（GaN EiceDRIVER™ IC），精彩亮相2018年德国慕尼黑电子展。

中国北京2022年4月22日 — 近年来一直发力第三代半导体测试解决方案的泰克科技，最近携手英诺赛科一起致力于开发氮化镓的应用未来。未来，双方将携手克服氮化镓更快开关速度、更高开关频率等等一系列挑战，让未来更多优异的氮化镓产品进入更多应用领域，一起为未来科技充电。

现如今，网络基础设施与反导雷达等领域都要求使用高性能高功率密度的射频器件，这使得市场对于射频氮化镓（GaN）器件的需求不断升温。现在的无线基站里面，已经开始用氮化镓器件取代硅基射频器件。

氮化镓一直是永不落伍的热点话题，只是因为它与我们的生活息息相关，那是因为我们的日常更是离不开半导体技术，比如说：电器、手机、电脑以及各种电子设备等都需要半导体来实现，由此更能看出，半导体材料的未来前景更是一片光明，目前最新的半导体材料还是GaN，本文带各位了解2020年的氮化镓（GaN）又会有着怎样的机遇

由智能手机充电器为代表的消费电子领域是目前氮化镓商用的主要成长动力。而随着技术日趋成熟，氮化镓产品正逐步进入到汽车、工业及通信领域。 氮化镓的普及在于其高频、高效、高电压、高耐温以及大功率等的优异性能。这些特性使其非常适用于光电子、射频和功率开关应用。

说到半导体材料，氮化镓和碳化硅可以说是当今最主要的半导体材料了。本期我们来说说关于半导体材料之氮化镓（GaN）。

全新氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及相关开发板 · 更低导通电阻(RDS(on)) 由于全新氮化镓场效应晶体管系列可降低一半导通电阻，因此可支持大电流、高功率密度应用。

同时，综合测试数据已证实，硅基氮化镓符合严格的可靠性要求，其射频性能和可靠性可媲美甚至超越昂贵的碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)替代技术。 硅基氮化镓成为射频半导体行业前沿技术之时正值商用无线基础设施发展的关键时刻。

宜普电源转换公司（EPC）的两个车用氮化镓晶体管成功通过了国际汽车电子协会所制定的AEC Q101分立器件应力测试认证。 宜普电源转换公司宣布其两个车用氮化镓(eGaN)器件成功通过AEC Q101测试认证，可在车用及其它严峻环境实现多种全新应用。

作为一家外商独资企业(WFOE)，Transphorm的深圳办事处将负责加强当地客户支持、销售和市场营销工作，另外，该办事处将作为当地支持客户开发氮化镓电源系统的应用实验室，并同时支持全球研发工作。

两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级尽可能提高（和降低）。 氮化镓在任何功率级别都很关键。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出网上氮化镓（GaN）产品选型及搜索工具。该互动式选型指南为功率系统设计工程师提供以下的优势： 容易使用的参数搜索工具，易于帮助工程师的应用找出最合适的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）及集成电路。

氮化镓系统公司是全球领先的科技公司，致力于为功率转换应用开发基于氮化镓的解决方案。该公司总部位于加拿大渥太华，拥有 200 多名员工。 英飞凌科技首席执行官 Jochen Hanebeck 表示：“氮化镓技术为打造更加低碳节能的解决方案扫清了障碍，有助于推动低碳化进程。

英飞凌和群光电能 英飞凌凭借其用于笔记本电脑、电竞、服务器与储存设备等信息通信技术（ICT）应用的氮化镓（GaN）电源供应器解决方案，被评为群光电能的首席氮化镓战略合作伙伴。该奖项肯定了英飞凌在产品选择、技术与应用专业度、可靠性和成本效益等方面的综合实力与优秀表现。

加州戈利塔—2012年12月15 日--高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供货商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今日发布了针对其氮化镓功率管的最新可靠性评估数据。评估可靠性使用的失效率（FIT）是分析客户现场应用中失效的器件数。

氮化镓（GaN）等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年，电力电子领域将管理大约80％的能源，而2005年这一比例仅为30％1。这相当于30亿千瓦时以上的节能。这些电力足以为30多万个家庭提供一年的电量。

横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体和世界领先的高性能模拟射频、微波、毫米波和光波半导体产品供应商MACOM科技解决方案控股有限公司今天宣布一份硅上氮化镓GaN 合作开发协议。据此协议，意法半导体为MACOM制造硅上氮化镓射频晶片。

在扩大MACOM供应来源的同时，该协议还赋予ST针对手机、无线基站和相关商业电信基础设施应用以外的射频市场生产及销售其自己的硅基氮化镓产品的权利。 通过这项协议，MACOM有望提高硅晶圆生产能力、改进成本结构以取代现有的硅LDMOS技术，还可加速硅基氮化镓在主流市场的普及。

EPC公司宣布推出领导业界的增强型氮化镓器件的晶圆，使得客户易于集成功率系统。EPC公司的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）及集成电路一直以来都是以单个并包含锡条或锡球的芯片级器件出售。

通过此次合作，意法半导体创新的战略性氮化镓产品将采用台积电领先业界的GaN制造工艺。 氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料，与传统的硅功率半导体相比，优势十分明显，例如，在大功率工作时能效更高，使寄生功率损耗大幅降低。氮化镓技术还可以设计更紧凑的器件，让目标应用具有更好的外形尺寸。

该公司表示，该破纪录的1nm成功表明AZZURRO的技术有能力做出‘1bin’硅基氮化镓LED晶圆。 AZZURRO表示，硅基氮化镓晶圆的亮度和效率已经可以解决，但产量的问题至今仍无定论。氮化镓与硅之间的巨大晶格失配和热膨胀系数导致LED晶圆在生长过程中会出现高度的翘曲问题。