下圖為一個驅(qū)動高端MOSFET的驅(qū)動電路，通過專用的驅(qū)動光耦完成。
目前的問題就是目前的方案驅(qū)動電流太小，只有uA級別，MOSFET開通過程太慢很容易炸管，具體表現(xiàn)在一開機(jī)MOSFET就炸。
現(xiàn)有幾個問題需要明確；
1. MOSFET的驅(qū)動電壓需要大于12V，最好15V。
2. 驅(qū)動電流需要安培級別的，至少也要百mA級的，否則MOSFET開啟速度過慢。
3. 必須為隔離驅(qū)動，驅(qū)動前的電路需要與MOSFET連接的功率電路隔離開。
4. 電路為直流應(yīng)用（MOSFET開通后在額定工作條件下不會關(guān)斷，超過額定電流按照I2T反時限關(guān)斷），目前只能想到光耦器件；如果是交流應(yīng)用就簡單了何以使用驅(qū)動變壓器。
主要是以上幾個重點(diǎn)問題，有沒有什么比較好的解決方案，電路越簡單越好。
1. 由于光耦輸出需要驅(qū)動功率MOSFET，這個MOSFET的驅(qū)動電壓在12~15V之間，能滿足輸出電流在幾十mA，并且輸出電壓在12~15V的驅(qū)動光耦我沒有找到，你知道哪些合適的光耦麻煩推薦下。
2. 由于隔離要求，上圖光耦輸出供電需要VDD通過變換得來，MOSFET導(dǎo)通后，MOSFET的柵極電壓始終要高于VDD 12~15V，很麻煩。
3 . 另外有沒有一種芯片輸入對GND為15V，輸出可以浮地輸出15V，實(shí)際上就是輸出對輸入的一個電壓搬移，
是你說的這種情況，隔離變壓器和自舉都無法使用。
拿TLP250來說，MOS關(guān)斷時，光耦的VCC(8)-GND(5)為12V；MOS開通后光耦的GND(5)就會上浮一個電壓VDD(MOSFET的漏極電壓)，同樣光耦的VCC(8)也要同步上浮一個VDD，這種供電方式有隔離式dc/dc能滿足嗎
隔離式dc/dc可以提供隨接地點(diǎn)浮動的供電電壓，能實(shí)現(xiàn)你所說的要求。也可考慮一下用PMOS的方案，供電方面好處理得多（如下圖）。源極直接接vdd，光耦對地控制柵極電位，可用普通型光耦，只是驅(qū)動能力會小一些。能說說輸出電壓、電流、時延等的要求嗎？
輸出電流很大，那還是用原方案吧。DC/DC隔離降壓電源模塊應(yīng)該有成品，可以在TB上找一下。
